Thorlabs PDA44 SiPM探测器,带放大,320 – 900 nm,

Thorlabs PDA44 SiPM探测器,带放大,320 – 900 nm,

¥17,233.00

Thorlabs PDA44是一款专为极弱光探测设计的带放大硅光电倍增探测器。其波长覆盖320-900nm,具备40%高探测效率与卓越的单光子计数能力。产品内置TEC温控与专利RPC电路,有效降低暗计数并输出清晰信号,适配标准SM1螺纹,是高精度科研、荧光探测与光子计数的理想选择。

产品概述

SiPM Selection Guide
Item # Wavelength Range Active Area Pixel Pitch Dark Counts (Typ. / Max) Photon Detection Efficiency (PDE) Sample Data
PDA44 320 – 900 nm 1.3 x 1.3 mm 50 µm 5 kcps / 13 kcps 40%
PDA45 3 x 3 mm 25 kcps / 72 kcps
PDA40 350 – 1000 nm Ø1.5 mm 25 µm 35 kcps / 90 kcps 30%
PDA41 50 µm 40%
PDA42 Ø3.0 mm 25 µm 140 kcps / 350 kcps 30%
PDA43 50 µm 40%

特性

  • 单光子探测能力
  • 一致的单光子脉冲能量能够对多个并发光子进行计数
  • 可见光和近红外响应度
  • 低最大暗计数
  • 获专利的反射脉冲压缩(RPC)电路可消除SiPM充电尾部,以获得更清晰的信号(美国专利12,164,070)
  • 集成的TEC可减少暗计数并提供一致增益
  • 附带电源

Thorlabs带放大的硅光电倍增(SiPM)探测器,也称为多像素光子计数器(MPPC),由多个盖革模式下的雪崩光电二极管(APD)像素组成,可提供光子计数功能。SiPM探测器中的每个像素都可偏压至高于其击穿电压,因此非常适合极弱光探测。这些探测器设计用于可见光和近红外波段工作,并提供多种有源区和响应度。

每个SiPM探测器都是一个像素阵列,其中每个像素由雪崩光电二极管和猝灭电阻串联组合而成。这些像素并联连接,经过排列可提供四种不同的有源区:1.3 mm x 1.3 mm、Ø1.5 mm、Ø3.0 mm或3 mm x 3 mm,并提供两种不同的像素间距或尺寸:25 µm或50 µm。对SiPM探测器施加外部偏压,使APD像素在高于其击穿电压的情况下工作,从而产生强电场。当吸收单个光子后会产生电子-空穴对,电场加速电子,通过碰撞电离产生二次电子。由此产生的雪崩构成SiPM探测器的增益,也称为倍增因子“M”,并且雪崩会根据所施加的偏压而变化。有关此工作原理的更多信息请查看教程标签。

SiPM探测器通过内置半导体制冷片(TEC)进行温度稳定,以实现从13 kcps至350 kcps的低最大暗计数,具体取决于型号和设置。这些SiPM探测器还具有可变偏压,可用于提高探测器的增益和光子探测效率(PDE);然而,增大偏压也会增加串扰并放大暗电流,从而会增加当前暗计数的振幅。增大偏压可改善渡越时间涨落,从而降低光入射后像素输出信号所需的时间变化。一般来说,对于高增益或PDE应用,所施加的偏压可以设置得较高,而对于需要低噪声的应用,可施加较低的偏压。偏压水平可以通过探测器侧面的旋钮控制,每级标记为1到10;有关每级对应的电压信息,请查看规格标签中的Bias Levels表格。

每个型号的SiPM探测器提供不同的规格,并具有多种像素尺寸、有源区和灵敏度。通常,较大的像素尺寸提供更高的增益和PDE,而较小的像素尺寸提供更快的响应度和更宽的动态范围。具有较大有源区的探测器更适合需要更宽动态范围的应用,而较小的有源区可提供更高的响应速度和更低的暗计数。所有型号的完整规格请查看规格标签。这些SiPM探测器的PDE与光电倍增管(PMT)的量子效率(QE)类似;但如对比标签所示,SiPM探测器可提供更大的动态范围。这些SiPM探测器还利用了Thorlabs获专利的集成反射脉冲压缩(RPC)电路,可有效消除单电子响应中的微元充电尾部,从而产生更清晰、更易于区分的信号(美国专利12,164,070)。有关RPC电路及与PMT比较的更多信息,请查看信号表征标签。

所有SiPM探测器都具有SM1(1.035″-40)外螺纹,并包含可拆卸的SM1T1内螺纹转接件和SM1RR卡环,以兼容Ø1英寸透镜套筒。Thorlabs的D4T燕尾转接件可为需要快速添加、移除探测器或旋转探测器以获得最佳对准的系统提供兼容性。每个装置的外壳还具有两个可安装8-32和M4螺丝的通用螺孔,因此可使用Ø1/2英寸接杆水平或垂直安装探测器。

电源
每个带放大的SiPM探测器都附带LDS12B电源及符合当地使用的电源线,电源为±12 V线性电源,支持100、120和230 VAC输入电压。下方单独出售替换电源。将电源连接到线路之前,请确保电源模块上的线性电压开关已经设定在正确的电压范围。请始终使用电源上的电源开关来给电源通电。建议装置不要热插拔。

核心特性

  • 单光子探测能力
  • 一致的单光子脉冲能量能够对多个并发光子进行计数
  • 可见光和近红外响应度
  • 低最大暗计数
  • 获专利的反射脉冲压缩(RPC)电路可消除SiPM充电尾部,以获得更清晰的信号(美国专利12,164,070)
  • 集成的TEC可减少暗计数并提供一致增益
  • 附带电源

技术规格

SiPM Selection Guide
Item # 波长范围 光敏面积 Pixel Pitch Dark Counts (Typ. / Max) Photon Detection Efficiency (PDE) Sample Data
PDA44 320 – 900 nm 1.3 x 1.3 mm 50 µm 5 kcps / 13 kcps 40%
PDA45 3 x 3 mm 25 kcps / 72 kcps
PDA40 350 – 1000 nm Ø1.5 mm 25 µm 35 kcps / 90 kcps 30%
PDA41 50 µm 40%
PDA42 Ø3.0 mm 25 µm 140 kcps / 350 kcps 30%
PDA43 50 µm 40%

注:以上参数为典型值,具体以产品 datasheet 为准。

产品详细说明

产品详情

每个SiPM探测器都是一个像素阵列,其中每个像素由雪崩光电二极管和猝灭电阻串联组合而成。这些像素并联连接,经过排列可提供四种不同的有源区:1.3 mm x 1.3 mm、Ø1.5 mm、Ø3.0 mm或3 mm x 3 mm,并提供两种不同的像素间距或尺寸:25 µm或50 µm。对SiPM探测器施加外部偏压,使APD像素在高于其击穿电压的情况下工作,从而产生强电场。当吸收单个光子后会产生电子-空穴对,电场加速电子,通过碰撞电离产生二次电子。由此产生的雪崩构成SiPM探测器的增益,也称为倍增因子“M”,并且雪崩会根据所施加的偏压而变化。有关此工作原理的更多信息请查看教程标签。

SiPM探测器通过内置半导体制冷片(TEC)进行温度稳定,以实现从13 kcps至350 kcps的低最大暗计数,具体取决于型号和设置。这些SiPM探测器还具有可变偏压,可用于提高探测器的增益和光子探测效率(PDE);然而,增大偏压也会增加串扰并放大暗电流,从而会增加当前暗计数的振幅。增大偏压可改善渡越时间涨落,从而降低光入射后像素输出信号所需的时间变化。一般来说,对于高增益或PDE应用,所施加的偏压可以设置得较高,而对于需要低噪声的应用,可施加较低的偏压。偏压水平可以通过探测器侧面的旋钮控制,每级标记为1到10;有关每级对应的电压信息,请查看规格标签中的Bias Levels表格。

每个型号的SiPM探测器提供不同的规格,并具有多种像素尺寸、有源区和灵敏度。通常,较大的像素尺寸提供更高的增益和PDE,而较小的像素尺寸提供更快的响应度和更宽的动态范围。具有较大有源区的探测器更适合需要更宽动态范围的应用,而较小的有源区可提供更高的响应速度和更低的暗计数。所有型号的完整规格请查看规格标签。这些SiPM探测器的PDE与光电倍增管(PMT)的量子效率(QE)类似;但如对比标签所示,SiPM探测器可提供更大的动态范围。这些SiPM探测器还利用了Thorlabs获专利的集成反射脉冲压缩(RPC)电路,可有效消除单电子响应中的微元充电尾部,从而产生更清晰、更易于区分的信号(美国专利12,164,070)。有关RPC电路及与PMT比较的更多信息,请查看信号表征标签。

所有SiPM探测器都具有SM1(1.035″-40)外螺纹,并包含可拆卸的SM1T1内螺纹转接件和SM1RR卡环,以兼容Ø1英寸透镜套筒。Thorlabs的D4T燕尾转接件可为需要快速添加、移除探测器或旋转探测器以获得最佳对准的系统提供兼容性。每个装置的外壳还具有两个可安装8-32和M4螺丝的通用螺孔,因此可使用Ø1/2英寸接杆水平或垂直安装探测器。

电源
每个带放大的SiPM探测器都附带LDS12B电源及符合当地使用的电源线,电源为±12 V线性电源,支持100、120和230 VAC输入电压。下方单独出售替换电源。将电源连接到线路之前,请确保电源模块上的线性电压开关已经设定在正确的电压范围。请始终使用电源上的电源开关来给电源通电。建议装置不要热插拔。

应用领域

  • 激光功率与能量测量
  • 光学通信与光网络
  • 光谱分析与光学检测
  • 科研实验与教学演示
  • 工业自动化与质量检测

订货信息

产品型号 PDA44
产品描述 SiPM探测器,带放大,320 – 900 nm,有源区1.3 mm x 1.3 mm,像素间距50 µm
品牌 Thorlabs
原产地 美国
货期 现货/期货(请咨询客服确认)
质保 原厂标准质保 12 个月

注:产品价格、库存及货期实时变动,下单前请联系客服确认最新信息。

常见问题 (FAQ)

Q: 产品选型时需要注意哪些参数?

A: 选型时主要关注:波长范围是否匹配您的应用场景、响应度和NEP是否满足灵敏度要求、带宽是否足够、光敏面积大小、以及供电和输出接口类型。如有疑问,可联系我们的技术工程师提供选型建议。

Q: 产品的保修期是多久?

A: 本产品享受原厂标准保修服务,保修期为自收货之日起12个月。保修期内因产品质量问题导致的故障,我们提供免费维修或更换服务。人为损坏或非正常使用不在保修范围内。

Q: 下单后多久可以发货?

A: 现货产品一般在1-3个工作日内发货,期货产品货期通常为4-8周。具体货期请以下单时客服确认为准。我们会在发货后第一时间提供物流跟踪信息。

Q: 可以提供产品技术资料和 datasheet 吗?

A: 可以的。下单前如需详细的产品技术规格书(datasheet)、使用手册或应用说明,请联系我们的客服或技术支持人员,我们会为您提供相关技术文档。

Q: 产品是否支持退换货?

A: 自收货之日起7日内,如产品存在质量问题,可申请退换货。非质量原因的退换货需产品未拆封使用且不影响二次销售,详情请咨询客服。定制产品不支持退换货。

免责声明

本产品信息仅供参考,实际产品参数、外观及包装以原厂出货为准。产品规格如有变更,恕不另行通知。

由于不同测量环境和设备的差异,产品性能数据可能存在一定偏差。购买前请仔细阅读产品说明书,如有疑问请联系客服确认。

本产品仅用于科研、工业等合法用途,不得用于任何违反国家法律法规的场合。

描述

Thorlabs PDA44是一款专为极弱光探测设计的带放大硅光电倍增探测器。其波长覆盖320-900nm,具备40%高探测效率与卓越的单光子计数能力。产品内置TEC温控与专利RPC电路,有效降低暗计数并输出清晰信号,适配标准SM1螺纹,是高精度科研、荧光探测与光子计数的理想选择。

产品概述

SiPM Selection Guide
Item # Wavelength Range Active Area Pixel Pitch Dark Counts (Typ. / Max) Photon Detection Efficiency (PDE) Sample Data
PDA44 320 – 900 nm 1.3 x 1.3 mm 50 µm 5 kcps / 13 kcps 40%
PDA45 3 x 3 mm 25 kcps / 72 kcps
PDA40 350 – 1000 nm Ø1.5 mm 25 µm 35 kcps / 90 kcps 30%
PDA41 50 µm 40%
PDA42 Ø3.0 mm 25 µm 140 kcps / 350 kcps 30%
PDA43 50 µm 40%

特性

  • 单光子探测能力
  • 一致的单光子脉冲能量能够对多个并发光子进行计数
  • 可见光和近红外响应度
  • 低最大暗计数
  • 获专利的反射脉冲压缩(RPC)电路可消除SiPM充电尾部,以获得更清晰的信号(美国专利12,164,070)
  • 集成的TEC可减少暗计数并提供一致增益
  • 附带电源

Thorlabs带放大的硅光电倍增(SiPM)探测器,也称为多像素光子计数器(MPPC),由多个盖革模式下的雪崩光电二极管(APD)像素组成,可提供光子计数功能。SiPM探测器中的每个像素都可偏压至高于其击穿电压,因此非常适合极弱光探测。这些探测器设计用于可见光和近红外波段工作,并提供多种有源区和响应度。

每个SiPM探测器都是一个像素阵列,其中每个像素由雪崩光电二极管和猝灭电阻串联组合而成。这些像素并联连接,经过排列可提供四种不同的有源区:1.3 mm x 1.3 mm、Ø1.5 mm、Ø3.0 mm或3 mm x 3 mm,并提供两种不同的像素间距或尺寸:25 µm或50 µm。对SiPM探测器施加外部偏压,使APD像素在高于其击穿电压的情况下工作,从而产生强电场。当吸收单个光子后会产生电子-空穴对,电场加速电子,通过碰撞电离产生二次电子。由此产生的雪崩构成SiPM探测器的增益,也称为倍增因子“M”,并且雪崩会根据所施加的偏压而变化。有关此工作原理的更多信息请查看教程标签。

SiPM探测器通过内置半导体制冷片(TEC)进行温度稳定,以实现从13 kcps至350 kcps的低最大暗计数,具体取决于型号和设置。这些SiPM探测器还具有可变偏压,可用于提高探测器的增益和光子探测效率(PDE);然而,增大偏压也会增加串扰并放大暗电流,从而会增加当前暗计数的振幅。增大偏压可改善渡越时间涨落,从而降低光入射后像素输出信号所需的时间变化。一般来说,对于高增益或PDE应用,所施加的偏压可以设置得较高,而对于需要低噪声的应用,可施加较低的偏压。偏压水平可以通过探测器侧面的旋钮控制,每级标记为1到10;有关每级对应的电压信息,请查看规格标签中的Bias Levels表格。

每个型号的SiPM探测器提供不同的规格,并具有多种像素尺寸、有源区和灵敏度。通常,较大的像素尺寸提供更高的增益和PDE,而较小的像素尺寸提供更快的响应度和更宽的动态范围。具有较大有源区的探测器更适合需要更宽动态范围的应用,而较小的有源区可提供更高的响应速度和更低的暗计数。所有型号的完整规格请查看规格标签。这些SiPM探测器的PDE与光电倍增管(PMT)的量子效率(QE)类似;但如对比标签所示,SiPM探测器可提供更大的动态范围。这些SiPM探测器还利用了Thorlabs获专利的集成反射脉冲压缩(RPC)电路,可有效消除单电子响应中的微元充电尾部,从而产生更清晰、更易于区分的信号(美国专利12,164,070)。有关RPC电路及与PMT比较的更多信息,请查看信号表征标签。

所有SiPM探测器都具有SM1(1.035″-40)外螺纹,并包含可拆卸的SM1T1内螺纹转接件和SM1RR卡环,以兼容Ø1英寸透镜套筒。Thorlabs的D4T燕尾转接件可为需要快速添加、移除探测器或旋转探测器以获得最佳对准的系统提供兼容性。每个装置的外壳还具有两个可安装8-32和M4螺丝的通用螺孔,因此可使用Ø1/2英寸接杆水平或垂直安装探测器。

电源
每个带放大的SiPM探测器都附带LDS12B电源及符合当地使用的电源线,电源为±12 V线性电源,支持100、120和230 VAC输入电压。下方单独出售替换电源。将电源连接到线路之前,请确保电源模块上的线性电压开关已经设定在正确的电压范围。请始终使用电源上的电源开关来给电源通电。建议装置不要热插拔。

核心特性

  • 单光子探测能力
  • 一致的单光子脉冲能量能够对多个并发光子进行计数
  • 可见光和近红外响应度
  • 低最大暗计数
  • 获专利的反射脉冲压缩(RPC)电路可消除SiPM充电尾部,以获得更清晰的信号(美国专利12,164,070)
  • 集成的TEC可减少暗计数并提供一致增益
  • 附带电源

技术规格

SiPM Selection Guide
Item # 波长范围 光敏面积 Pixel Pitch Dark Counts (Typ. / Max) Photon Detection Efficiency (PDE) Sample Data
PDA44 320 – 900 nm 1.3 x 1.3 mm 50 µm 5 kcps / 13 kcps 40%
PDA45 3 x 3 mm 25 kcps / 72 kcps
PDA40 350 – 1000 nm Ø1.5 mm 25 µm 35 kcps / 90 kcps 30%
PDA41 50 µm 40%
PDA42 Ø3.0 mm 25 µm 140 kcps / 350 kcps 30%
PDA43 50 µm 40%

注:以上参数为典型值,具体以产品 datasheet 为准。

产品详细说明

产品详情

每个SiPM探测器都是一个像素阵列,其中每个像素由雪崩光电二极管和猝灭电阻串联组合而成。这些像素并联连接,经过排列可提供四种不同的有源区:1.3 mm x 1.3 mm、Ø1.5 mm、Ø3.0 mm或3 mm x 3 mm,并提供两种不同的像素间距或尺寸:25 µm或50 µm。对SiPM探测器施加外部偏压,使APD像素在高于其击穿电压的情况下工作,从而产生强电场。当吸收单个光子后会产生电子-空穴对,电场加速电子,通过碰撞电离产生二次电子。由此产生的雪崩构成SiPM探测器的增益,也称为倍增因子“M”,并且雪崩会根据所施加的偏压而变化。有关此工作原理的更多信息请查看教程标签。

SiPM探测器通过内置半导体制冷片(TEC)进行温度稳定,以实现从13 kcps至350 kcps的低最大暗计数,具体取决于型号和设置。这些SiPM探测器还具有可变偏压,可用于提高探测器的增益和光子探测效率(PDE);然而,增大偏压也会增加串扰并放大暗电流,从而会增加当前暗计数的振幅。增大偏压可改善渡越时间涨落,从而降低光入射后像素输出信号所需的时间变化。一般来说,对于高增益或PDE应用,所施加的偏压可以设置得较高,而对于需要低噪声的应用,可施加较低的偏压。偏压水平可以通过探测器侧面的旋钮控制,每级标记为1到10;有关每级对应的电压信息,请查看规格标签中的Bias Levels表格。

每个型号的SiPM探测器提供不同的规格,并具有多种像素尺寸、有源区和灵敏度。通常,较大的像素尺寸提供更高的增益和PDE,而较小的像素尺寸提供更快的响应度和更宽的动态范围。具有较大有源区的探测器更适合需要更宽动态范围的应用,而较小的有源区可提供更高的响应速度和更低的暗计数。所有型号的完整规格请查看规格标签。这些SiPM探测器的PDE与光电倍增管(PMT)的量子效率(QE)类似;但如对比标签所示,SiPM探测器可提供更大的动态范围。这些SiPM探测器还利用了Thorlabs获专利的集成反射脉冲压缩(RPC)电路,可有效消除单电子响应中的微元充电尾部,从而产生更清晰、更易于区分的信号(美国专利12,164,070)。有关RPC电路及与PMT比较的更多信息,请查看信号表征标签。

所有SiPM探测器都具有SM1(1.035″-40)外螺纹,并包含可拆卸的SM1T1内螺纹转接件和SM1RR卡环,以兼容Ø1英寸透镜套筒。Thorlabs的D4T燕尾转接件可为需要快速添加、移除探测器或旋转探测器以获得最佳对准的系统提供兼容性。每个装置的外壳还具有两个可安装8-32和M4螺丝的通用螺孔,因此可使用Ø1/2英寸接杆水平或垂直安装探测器。

电源
每个带放大的SiPM探测器都附带LDS12B电源及符合当地使用的电源线,电源为±12 V线性电源,支持100、120和230 VAC输入电压。下方单独出售替换电源。将电源连接到线路之前,请确保电源模块上的线性电压开关已经设定在正确的电压范围。请始终使用电源上的电源开关来给电源通电。建议装置不要热插拔。

应用领域

  • 激光功率与能量测量
  • 光学通信与光网络
  • 光谱分析与光学检测
  • 科研实验与教学演示
  • 工业自动化与质量检测

订货信息

产品型号 PDA44
产品描述 SiPM探测器,带放大,320 – 900 nm,有源区1.3 mm x 1.3 mm,像素间距50 µm
品牌 Thorlabs
原产地 美国
货期 现货/期货(请咨询客服确认)
质保 原厂标准质保 12 个月

注:产品价格、库存及货期实时变动,下单前请联系客服确认最新信息。

常见问题 (FAQ)

Q: 产品选型时需要注意哪些参数?

A: 选型时主要关注:波长范围是否匹配您的应用场景、响应度和NEP是否满足灵敏度要求、带宽是否足够、光敏面积大小、以及供电和输出接口类型。如有疑问,可联系我们的技术工程师提供选型建议。

Q: 产品的保修期是多久?

A: 本产品享受原厂标准保修服务,保修期为自收货之日起12个月。保修期内因产品质量问题导致的故障,我们提供免费维修或更换服务。人为损坏或非正常使用不在保修范围内。

Q: 下单后多久可以发货?

A: 现货产品一般在1-3个工作日内发货,期货产品货期通常为4-8周。具体货期请以下单时客服确认为准。我们会在发货后第一时间提供物流跟踪信息。

Q: 可以提供产品技术资料和 datasheet 吗?

A: 可以的。下单前如需详细的产品技术规格书(datasheet)、使用手册或应用说明,请联系我们的客服或技术支持人员,我们会为您提供相关技术文档。

Q: 产品是否支持退换货?

A: 自收货之日起7日内,如产品存在质量问题,可申请退换货。非质量原因的退换货需产品未拆封使用且不影响二次销售,详情请咨询客服。定制产品不支持退换货。

免责声明

本产品信息仅供参考,实际产品参数、外观及包装以原厂出货为准。产品规格如有变更,恕不另行通知。

由于不同测量环境和设备的差异,产品性能数据可能存在一定偏差。购买前请仔细阅读产品说明书,如有疑问请联系客服确认。

本产品仅用于科研、工业等合法用途,不得用于任何违反国家法律法规的场合。

其他信息

重量 1.4077 公斤

评价

目前还没有评价

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