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Thorlabs SM1PD2A 紫外增强型硅光电二极管，已安装，200-1100 nm，阴极接地

Thorlabs SM1PD2A 紫外增强型硅光电二极管，已安装，200-1100 nm，阴极接地

Thorlabs SM1PD2A 紫外增强型硅光电二极管，已安装，200-1100 nm，阴极接地

¥2,942.00
SKU: SM1PD2A
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Thorlabs SM1PD2A

紫外增强型硅光电二极管，已安装，200-1100 nm，阴极接地

Thorlabs SM1PD2A是一款安装在SM1 (1.035″-40)外螺纹绝缘套管中的光电二极管，通过标准BNC接头输出电信号，方便快速连接到测量电路。该型号兼容PDA200C台式光电二极管放大器和Thorlabs模块化光电二极管放大器，非常适合测量脉冲和连续光源。

规格参数：

参数 规格
集成探测器 特殊（紫外增强型）
上升/下降时间 450 ns / 450 ns @ 650 nm, 5 V
有源区面积 10 mm × 10 mm (Ø9 mm 通光孔径后方)
光谱范围 200 – 1100 nm
材料 硅 (Si)
NEP 5.74 x 10⁻¹⁴ W/Hz^(1/2)
暗电流 1.0 μA (Max) @ 5 V
结电容 1.75 nF @ 0 V
最大反向偏压 5 V
外壳类型 SM1 (1.035″-40)
信号输出 BNC接头
接地配置 阴极接地

产品特点：

  • SM1 (1.035″-40)外螺纹绝缘套管，兼容Thorlabs安装转接件
  • BNC信号输出接头
  • 阴极接地配置
  • 非常适合测量脉冲和连续光源
SM1螺纹光电二极管 系列参数对比（阴极接地）
型号 探测器 上升/下降时间 有源区面积 NEP (W/Hz½) 暗电流 光谱范围 (nm) 材料 结电容 反向偏压
SM1PD2A – 450 ns / 450 ns @ 650 nm, 5 V 10 x 10 mm (Ø9 mm通光孔径) 5.74 x 10⁻¹⁴ 1.0 µA (Max) @ 5 V 200 – 1100 Si 1.75 nF @ 0 V 5 V
SM1PD1A FDS1010 65 ns @ 632 nm, 5 V 10 x 10 mm (Ø9 mm通光孔径) 2.07 x 10⁻¹³ 600 nA (Max) @ 5 V 350 – 1100 Si 375 pF @ 5 V 25 V

*产品图片和规格来自Thorlabs官网。如有变更，以官方最新信息为准。

描述

Thorlabs SM1PD2A

紫外增强型硅光电二极管，已安装，200-1100 nm，阴极接地

Thorlabs SM1PD2A是一款安装在SM1 (1.035″-40)外螺纹绝缘套管中的光电二极管，通过标准BNC接头输出电信号，方便快速连接到测量电路。该型号兼容PDA200C台式光电二极管放大器和Thorlabs模块化光电二极管放大器，非常适合测量脉冲和连续光源。

规格参数：

参数 规格
集成探测器 特殊（紫外增强型）
上升/下降时间 450 ns / 450 ns @ 650 nm, 5 V
有源区面积 10 mm × 10 mm (Ø9 mm 通光孔径后方)
光谱范围 200 – 1100 nm
材料 硅 (Si)
NEP 5.74 x 10⁻¹⁴ W/Hz^(1/2)
暗电流 1.0 μA (Max) @ 5 V
结电容 1.75 nF @ 0 V
最大反向偏压 5 V
外壳类型 SM1 (1.035″-40)
信号输出 BNC接头
接地配置 阴极接地

产品特点：

  • SM1 (1.035″-40)外螺纹绝缘套管，兼容Thorlabs安装转接件
  • BNC信号输出接头
  • 阴极接地配置
  • 非常适合测量脉冲和连续光源
SM1螺纹光电二极管 系列参数对比（阴极接地）
型号 探测器 上升/下降时间 有源区面积 NEP (W/Hz½) 暗电流 光谱范围 (nm) 材料 结电容 反向偏压
SM1PD2A – 450 ns / 450 ns @ 650 nm, 5 V 10 x 10 mm (Ø9 mm通光孔径) 5.74 x 10⁻¹⁴ 1.0 µA (Max) @ 5 V 200 – 1100 Si 1.75 nF @ 0 V 5 V
SM1PD1A FDS1010 65 ns @ 632 nm, 5 V 10 x 10 mm (Ø9 mm通光孔径) 2.07 x 10⁻¹³ 600 nA (Max) @ 5 V 350 – 1100 Si 375 pF @ 5 V 25 V

*产品图片和规格来自Thorlabs官网。如有变更，以官方最新信息为准。

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