Thorlabs索雷博 PDA45 硅光电探测器 200-1100nm 高灵敏度 低噪声 宽频带 科研实验仪器

Thorlabs索雷博 PDA45 硅光电探测器 200-1100nm 高灵敏度 低噪声 宽频带 科研实验仪器

¥19,203.00

货号:PDA45 | Thorlabs原装进口 | 高性能光电探测器

Description

产品概述

PDA45 是Thorlabs索雷博公司生产的带放大型硅光电探测器,采用高品质硅光电二极管设计,具有高灵敏度、低噪声、宽频带等特点。适用于实验室研究、工业检测、光学测量等多种应用场景。

产品型号对比

PDA产品型号对比

一、硅探测器 (Silicon Detectors)

1.1 固定增益硅探测器

型号 名称 光谱范围 带宽 上升时间 NEP 有效面积 增益
PDA10A2 Si Amplified 200-1100nm DC-150MHz 2.3ns 29.2 pW/√Hz Ø1mm 10 kV/A
PDA10X2 Black Si 240-1170nm DC-21MHz 20ns 21.1 pW/√Hz 1mm×1mm 60 kV/A
PDA8A2 Si Amplified 320-1000nm DC-50MHz 7ns 7.8 pW/√Hz Ø0.8mm 100 kV/A
PDF10A2 Si Femtowatt 320-1100nm DC-20Hz 22ms 3.0 fW/√Hz 1.1×1.1mm 1×10⁹ kV/A
PDA015A2 Si High Speed 400-1000nm DC-380MHz 1.0ns 36 pW/√Hz Ø150μm 50 kV/A
FPD510-FS-VIS Menlo Si 400-1000nm DC-250MHz 2ns 6.0 pW/√Hz Ø0.4mm 1.5×10⁵ V/W
FPD610-FS-VIS Menlo Si 400-1000nm DC-600MHz 1ns 11.2 pW/√Hz Ø0.4mm 2×10⁶ V/W

1.2 可调增益硅探测器

型号 名称 光谱范围 带宽 峰值响应度 NEP 有效面积 增益范围
PDA20X2 Black Si 240-1170nm DC-11MHz 0.73 A/W 3.27-60 pW/√Hz 2×2mm 8档可调
PDA100A2 Si High Power 320-1100nm DC-11MHz 0.72 A/W 2.67-71.7 pW/√Hz Ø9.8mm 8档可调
PDA36A2 Si General 350-1100nm DC-12MHz 0.65 A/W 3.25-75.7 pW/√Hz 3.6×3.6mm 8档可调
FPD310-FS-VIS Menlo Si 400-1000nm 1-1500MHz 24.0 pW/√Hz Ø0.4mm 0/20 dB
PDA36AU Si USB DAQ 350-1100nm DC-12MHz 0.65 A/W 3.25-75.7 pW/√Hz 3.6×3.6mm USB 16-bit

二、InGaAs探测器 (800-1700nm)

型号 名称 光谱范围 带宽 有效面积 TEC制冷
PDA10DT InGaAs TE-Cooled 0.9-2.57μm 500Hz-1MHz Ø1mm 是 (-10°C)
PDA10D2 InGaAs 0.9-2.6μm DC-25MHz Ø1mm
PDA8GS InGaAs 750-1650nm DC-5MHz Ø0.8mm
PDA015C2 InGaAs Compact 800-1700nm DC-20MHz Ø0.4mm
PDA20C2 InGaAs 800-1700nm DC-20MHz Ø1mm
PDA20CS2 InGaAs High Speed 800-1700nm DC-20MHz Ø1mm
PDA10CF InGaAs FC/PC 800-1700nm DC-150MHz 0.2mm²

三、InAsSb探测器 (1.0-5.8μm)

型号 名称 光谱范围 带宽 有效面积 TEC制冷
PDA10PT InAsSb TE-Cooled 1.0-5.8μm DC-1.6MHz Ø1mm
PDA07P2 InAsSb 2.7-5.3μm DC-9MHz 0.49mm²

四、HgCdTe(MCT)探测器 (2.0-10.6μm)

型号 名称 光谱范围 峰值波长 带宽 NEP 增益范围
PDAVJ8 HgCdTe 2.0-8.0μm 6.5μm DC-100MHz 170 pW/√Hz 0-30 dB
PDAVJ10 HgCdTe Extended 2.0-10.6μm 6.5μm DC-100MHz 210 pW/√Hz 0-30 dB
PDAVJ5 HgCdTe High Gain 2.7-5.0μm 4.75μm DC-1MHz 14 pW/√Hz 0-42 dB

五、热释电探测器 (0.6-16μm)

型号 名称 光谱范围 带宽 探测器材料
PDA13L2 LiTaO3 Pyroelectric 0.6-16μm DC-10kHz LiTaO3

六、SiPM探测器 (单光子探测)

型号 名称 光谱范围 有效面积 像素间距 PDE TEC
PDA40 SiPM 350-1000nm Ø1.5mm 25μm 40% 集成
PDA41 SiPM 350-1000nm Ø1.5mm 50μm 30% 集成
PDA42 SiPM Large 350-1000nm Ø3.0mm 25μm 40% 集成
PDA43 SiPM Large 350-1000nm Ø3.0mm 50μm 30% 集成
PDA44 SiPM UV 320-900nm 1.3×1.3mm 50μm 30% 集成
PDA45 SiPM UV Large 320-900nm 3×3mm 50μm 30% 集成

七、OEM探测器 (PCB板级)

型号 名称 光谱范围 带宽 有效面积 增益类型
PDAPC5 Si OEM 200-1100nm 150MHz 0.8mm² 固定增益
PDAPC6 InGaAs OEM 800-1700nm 150MHz 0.2mm² 固定增益
PDAPC7 Ext InGaAs OEM 900-2600nm 25MHz 0.8mm² 固定增益
PDAPC8 Ge OEM 800-1800nm 510kHz 19.6mm² 可调增益
PDAPC9 InAsSb OEM 2.7-5.3μm 9MHz 0.49mm² 固定增益
PDAPC10 Black Si OEM 400-1000nm 可调增益

外壳特性

固定增益探测器外壳

  • PDA/PDF系列:1.96″ x 0.89″ x 2.79″ (49.8 mm x 22.5 mm x 70.9 mm)
  • 安装孔:两个8-32和M4通用螺孔
  • 螺纹接口:内螺纹SM05 (0.535″-40),外螺纹SM1 (1.035″-40)
  • 输出接口:BNC同轴连接器

FPD固定增益系列

  • 尺寸:2.36″ x 0.79″ x 1.97″ (60.0mm x 20.0mm x 50.0mm)
  • 安装孔:一个M4螺孔
  • 输出接口:SMA同轴连接器

可切换增益系列

  • PDA36A2/PDA100A2:2.07″ x 0.89″ x 2.79″ (52.5 mm x 22.5 mm x 70.9 mm)
  • PDA20X2:2.09″ x 0.89″ x 2.79″ (53.0 mm x 22.5 mm x 70.9 mm)
  • FPD310-FS-VIS:2.36″ x 0.79″ x 1.97″ (60.0mm x 20.0mm x 50.0mm)
  • 输出接口:BNC或SMA同轴连接器

PDA36AU USB系列

  • 尺寸:2.65″ x 0.89″ x 1.96″ (67.4 mm x 22.5 mm x 49.8 mm)
  • 接口:USB Type Micro-B
  • 特点:内置USB数据采集功能

引脚定义

PDA和PDF系列探测器(除PDA36AU)

电源连接器(公头)

引脚 功能
1 +15V直流电源输入
2 信号输出(通过BNC)
3 地(GND)

电源输入(母头 – 探测器端)

  • Pin 1: +15V DC
  • Pin 2: 模拟输出信号
  • Pin 3: 接地

FPD系列探测器

  • 使用小型DC电源插头
  • 推荐使用标配的+5V电源适配器
  • 输出信号通过SMA连接器

PDA36AU

  • 通过USB Micro-B接口供电和数据传输
  • 无需外部电源
  • 即插即用设计

软件支持

PDA Control Software(适用于PDA36AU)

PDA36AU配备专用的控制软件,提供两种操作模式:

模拟模式

  • 实时显示模拟输出波形
  • 可调增益设置
  • 触发和时基控制

平均模式

  • 脉冲能量统计
  • 平均功率测量
  • 峰值功率显示

软件功能

  • 实时数据采集
  • 可调节的时间窗口
  • 数据导出功能
  • 图形化界面

下载软件 →

光电二极管教程

工作原理

光电二极管是一种将光信号转换为电信号的半导体器件。当光子照射到PN结时,产生电子-空穴对,形成光电流。

关键术语

响应度(Responsivity)

定义为输出电流与输入光功率的比值,单位为A/W。响应度随波长变化。

工作模式

  • 光电导模式:施加反向偏压,响应速度快
  • 光伏模式:零偏压,噪声低

暗电流(Dark Current)

无光照时的反向漏电流,与温度密切相关。硅光电二极管的暗电流较低。

结电容(Junction Capacitance)

影响响应速度。结电容越小,带宽越高。

噪声等效功率(NEP)

产生与探测器噪声相等信号的入射光功率。NEP越低,灵敏度越高。

终止电阻(Terminating Resistance)

影响带宽和信号幅度。50Ω终止用于高速信号传输。

脉冲激光:功率和能量计算

基本公式

周期与重复频率

周期和重复频率互为倒数:

Δt = 1/frep

脉冲能量计算

从平均功率计算脉冲能量:

E = Pavg / frep

平均功率计算

从脉冲能量计算平均功率:

Pavg = E × frep

峰值功率估算

从脉冲能量估算峰值功率(假设矩形脉冲):

Ppeak = E / τ

其中τ为脉冲宽度

参数表

参数 符号 单位 说明
脉冲能量 E 焦耳[J] 单个脉冲的总发射能量
周期 Δt 秒[s] 相邻脉冲开始时间的间隔
平均功率 Pavg 瓦特[W] 能量在整个周期内的平均
瞬时功率 P 瓦特[W] 某一时刻的光功率
峰值功率 Ppeak 瓦特[W] 激光的最大瞬时输出功率
脉冲宽度 τ 秒[s] 脉冲持续时间,通常取FWHM
重复频率 frep 赫兹[Hz] 脉冲发射频率

应用说明

使用光电探测器测量脉冲激光时,需要根据探测器带宽选择合适的测量方法:

  • 对于宽脉冲(脉宽远大于探测器响应时间),可直接测量峰值
  • 对于窄脉冲(脉宽接近探测器响应时间),需要使用能量积分方法
  • 确保探测器的带宽和上升时间满足脉冲测量需求

技术文档

订购信息

如需订购PDA45或了解更多产品信息,请联系我们的销售团队或访问Thorlabs官网。

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