Excelitas C30659-1550E-R2AH 高速铟镓砷雪崩探测接收模块 1550nm 0.03mm²

Excelitas C30659-1550E-R2AH 高速铟镓砷雪崩探测接收模块 1550nm 0.03mm²

¥11,845.00

描述

Excelitas C30659-1550E-R2AH 是 1550 nm 铟镓砷雪崩探测接收模块,TO-8 十二脚封装,有效感光面 200 µm(0.03 mm²),响应时间 7 ns,典型输出 300 kV/W @1300 nm、340 kV/W @1550 nm,光谱范围 1100–1700 nm。

产品概述

200 µm 面元兼顾收光与速度,7 ns 响应时间对应约 50 MHz 带宽,内置 TIA 输出 kV/W 级电压,是自由空间 1550 nm 测距与成像雷达的通用选择。相比 80 µm 版本更容易对准,相比 800 µm 版本速度更快。

C30659-1550E-R2AH 属于 雪崩探测接收模块(APD + TIA),由 Excelitas Technologies 生产。本页参数取自原厂数据手册与公开规格,选型或替换前建议下载页末的官方 Datasheet 核对完整测试条件。

核心特性

  • 雪崩倍增(Avalanche)结构,内部增益把微弱光信号放大后再输出,弱光下信噪比优于同面积 PIN 器件
  • 峰值响应波长 1550nm,光谱范围 1100nm ~ 1700nm
  • 典型响应度 300 KV/W @ 1300nm,340 KV/W @ 1550nm
  • 有效感光面积 0.03mm²,兼顾收光能力与结电容
  • 响应时间 7ns,可分辨纳秒级光脉冲
  • TO-8 型,12 引线 封装,通孔安装,便于集成到现有光学与电路结构
  • 工作温度范围 -40°C ~ 70°C
  • 原厂正品,随货提供官方数据手册;参数以 Excelitas 官方规格书为准

技术规格

参数 数值
制造商 (Manufacturer) Excelitas Technologies
制造商型号 (MPN) C30659-1550E-R2AH
峰值波长 (Peak Wavelength) 1550nm
光谱范围 (Spectral Range) 1100nm ~ 1700nm
探测器类型 (Detector Type) 雪崩
响应度 (Responsivity) 300 KV/W @ 1300nm,340 KV/W @ 1550nm
有效感光面积 (Active Area) 0.03mm²
响应时间 (Response Time) 7ns
工作温度 (Operating Temperature) -40°C ~ 70°C
封装 / 外壳 (Package) TO-8 型,12 引线
安装方式 (Mounting) 通孔
产品系列 (Series) C30659
基本型号 (Base Part Number) C30659
包装形式 (Packaging) 散装
产品状态 (Status) 在售
供货与交期 (Lead Time) 现货,3–5 个工作日发出
RoHS 合规 符合 ROHS3 规范
出口管制编码 (ECCN) EAR99
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
HTSUS 编码 8541.49.1050

注:以上为原厂典型值,实际性能与偏压、温度、负载条件相关,具体以 Excelitas 官方数据手册为准。

封装尺寸与特性曲线

Excelitas C30659-1550E-R2AH 封装外形尺寸图(单位 mm [inch],含三维视图)
图 1 C30659-1550E-R2AH 封装外形与三维尺寸(单位 mm [inch],来源:Excelitas 官方数据手册)
Excelitas C30659-1550E-R2AH 典型响应度 / 量子效率曲线
图 2 C30659-1550E-R2AH 典型响应度 / 量子效率曲线(来源:Excelitas 官方数据手册)
Excelitas C30659-1550E-R2AH 典型增益、暗电流与电容曲线
图 2b C30659-1550E-R2AH 典型增益、暗电流与电容曲线(来源:Excelitas 官方数据手册)

典型应用

  • 1550 nm 自由空间测距与三维成像
  • 中速光通信接收
  • 近红外脉冲探测
  • 光纤束成像接收

技术资料下载

如需 STEP/IGES 三维模型、RoHS 声明或原厂出货检验报告,请联系我方工程师代为向原厂索取。

常见问题 (FAQ)

Q1: 200 µm 与 80 µm 怎么取舍?

A: 80 µm 带宽更高、暗电流更低,适合光纤耦合与高速链路;200 µm 收光面积大约 6 倍,自由空间光路更容易对准,带宽降到 7 ns。先按光斑尺寸定面元,再按脉宽定带宽。

Q2: 模块输出是否需要再放大?

A: 取决于后级 ADC 量程。340 kV/W 下 1 µW 光功率约输出 0.34 V,多数采集卡可直接接入;若信号更弱,可在模块后加低噪声电压放大器,但会牺牲带宽。

Q3: 工作温度范围?

A: −40~70 °C。宽温使用时 APD 增益会随温度漂移,建议加温度补偿或恒温,尤其在精密测距应用中。

Q4: 这款产品是原装正品吗,能否提供技术资料?

A: 是。产品为 Excelitas 原厂正品,随货可提供官方数据手册;本页“技术资料下载”区已附上该型号的 Datasheet 与封装尺寸图,可直接下载核对完整参数。

Q5: 如何确认交期和库存?

A: 页面显示的供货状态按当前库存整理:标注现货的型号通常 3–5 个工作日发出;标注需预订的型号,下单前请与我方确认准确交期,我们会在收到原厂确认后回复。

Q6: 能否提供选型建议或替代型号?

A: 可以。请提供工作波长、光斑尺寸、最小可探测功率、信号带宽与封装要求,我方工程师会结合同系列参数(见页面“同系列型号对比”)给出选型或替代方案。

同系列型号对比

下表列出 雪崩探测接收模块(APD + TIA) 同系列型号的关键差异,便于按波长、面元与带宽快速选型(数据来源:Excelitas 官方数据手册)。

型号 峰值波长 有效面积 响应度 响应时间 封装
C30659-1550E-R08BH 1550nm 0.005mm² 80 KV/W @ 1300nm,900 KV/W @ 1550nm 2ns TO-8 型,12 引线
C30659-1550-R2AH 1550nm 0.03mm² 300 KV/W @ 1300nm,340 KV/W @ 1550nm 7ns TO-8 型,12 引线
C30659-1060E-R8BH 1064nm 0.5mm² 370 KV/W @ 900nm,200 KV/W @ 1064nm 2ns TO-8 型,12 引线
C30659-1060-3AH 1064nm 7.1mm² 450 KV/W @ 900nm,280 KV/W @ 1064nm 7ns TO-8 型,12 引线
C30659-900-R8AH 900nm 0.5mm² 2700 KV/W @ 830nm,3000 KV/W @ 900nm 7ns TO-8 型,12 引线
C30659-900-R5BH 900nm 0.2mm² 460 KV/W @ 830nm,400 KV/W @ 900nm 2ns TO-8 型,12 引线
C30659-1550-R08BH 1550nm 0.005mm² 80 KV/W @ 1300nm,90 KV/W @ 1550nm 2ns TO-8 型,12 引线
C30659-1550E-R2AH 1550nm 0.03mm² 300 KV/W @ 1300nm,340 KV/W @ 1550nm 7ns TO-8 型,12 引线

表中“—”表示原厂未在标准规格中给出该字段,具体请参见对应型号的数据手册。

订货信息

订货型号:C30659-1550E-R2AH(制造商:Excelitas Technologies)。请按完整型号下单,同系列不同后缀在封装、面元或带宽上存在差异,不可直接互换。

批量采购、需要配套偏压电源/跨阻放大器,或需要原厂筛选等级的产品,请联系我方获取报价与技术方案。

免责声明

本页参数、曲线与尺寸数据整理自 Excelitas 官方数据手册与公开规格资料,仅供参考;实际产品参数、外观及包装以原厂出货为准,规格如有变更恕不另行通知。

光电探测器属静电敏感器件,操作时须采取防静电措施;超出规格的偏压、光功率或温度条件可能导致器件永久损坏,相关损失不在质保范围内。

本产品仅用于科研、工业等合法用途,不得用于违反国家法律法规的场合。

评价

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