光电二极管（Photodiodes）

光电二极管常见问题 FAQ

Q：光电二极管Si、InGaAs、Ge材质怎么选？
A：按工作波长选材料。Si适合190-1100nm（可见光到近红外），InGaAs适合800-1700nm（1064/1310/1550nm激光），Ge适合800-1700nm（低成本替代），扩展InGaAs适合900-2600nm（短波红外）。

Q：有源区大小对探测有什么影响？
A：有源区越大，能接收的光功率越大，对准越容易，但响应速度越慢。小光斑/高速选小有源区（如FGA01，0.007mm²），大面积功率测量选大有源区（如FDS100，10×10mm²）。

Q：CAL版本和普通版有什么区别？
A：CAL（Calibrated）版本附带NIST可溯源的校准证书，提供精确响应度数据，适合需要精确功率测量的场景。普通版适合一般性探测应用。

Q：裸光电二极管和放大探测器（PDA）有什么区别？
A：裸光电二极管输出电流信号，需外接跨阻放大器；放大探测器（PDA系列）内置放大器，直接输出电压信号，BNC接口可直接连示波器，即插即用。

Q：上升时间17ns对应多高的带宽？
A：带宽 ≈ 0.35 / 上升时间 = 0.35 / 17ns ≈ 20MHz。如果您的信号调制频率超过此值，需选择更快响应时间的探测器。

更多选型问题请参考我们的技术博客《光电二极管选型指南》，或联系技术支持：15927220467