描述
Excelitas C30645EH 是一款 1550 nm 峰值响应的铟镓砷雪崩光电二极管（InGaAs APD），有效感光面 80 µm，典型响应度 9.3 A/W @1550 nm，光谱范围 1100–1700 nm，最大反向偏压 70 V，TO-18-2 金属罐封装。
产品概述
InGaAs APD 的价值在于 1.5 µm 人眼安全波段：硅在此波段完全不响应，而 InGaAs 可提供 0.9 A/W 级的本征响应度，叠加 10 倍左右雪崩增益后达到 A/W 量级。80 µm 小面元换来低结电容与高带宽，典型暗电流 3 nA，适合高速、长距离的接收前端。
C30645EH 属于 铟镓砷雪崩光电二极管（InGaAs APD），由 Excelitas Technologies 生产。本页参数取自原厂数据手册与公开规格，选型或替换前建议下载页末的官方 Datasheet 核对完整测试条件。
核心特性
- 雪崩倍增（Avalanche）结构，内部增益把微弱光信号放大后再输出，弱光下信噪比优于同面积 PIN 器件
- 峰值响应波长 1550nm，光谱范围 1100nm ~ 1700nm
- 典型响应度 9.3 A/W @ 1550nm
- 有效感光面积 80µm 直径，兼顾收光能力与结电容
- 典型暗电流 3nA，弱光测量零点漂移小
- 最大反向偏压 70 V，可在高增益区稳定工作
- TO-18-2 金属罐 封装，通孔安装，便于集成到现有光学与电路结构
- 工作温度范围 -20°C ~ 70°C
- 原厂正品，随货提供官方数据手册；参数以 Excelitas 官方规格书为准
技术规格
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 制造商 (Manufacturer) | Excelitas Technologies |
| 制造商型号 (MPN) | C30645EH |
| 峰值波长 (Peak Wavelength) | 1550nm |
| 光谱范围 (Spectral Range) | 1100nm ~ 1700nm |
| 探测器类型 (Detector Type) | 雪崩 |
| 响应度 (Responsivity) | 9.3 A/W @ 1550nm |
| 有效感光面积 (Active Area) | 80µm 直径 |
| 最大反向偏压 (Max Reverse Voltage) | 70 V |
| 暗电流 (Dark Current, typ.) | 3nA |
| 工作温度 (Operating Temperature) | -20°C ~ 70°C |
| 封装 / 外壳 (Package) | TO-18-2 金属罐 |
| 安装方式 (Mounting) | 通孔 |
| 产品系列 (Series) | C30645 |
| 基本型号 (Base Part Number) | C30645 |
| 包装形式 (Packaging) | 盒 |
| 产品状态 (Status) | 在售 |
| 供货与交期 (Lead Time) | 现货，3–5 个工作日发出 |
| RoHS 合规 | 符合 ROHS3 规范 |
| 出口管制编码 (ECCN) | EAR99 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| HTSUS 编码 | 8541.49.1050 |
注：以上为原厂典型值，实际性能与偏压、温度、负载条件相关，具体以 Excelitas 官方数据手册为准。
封装尺寸与特性曲线
![Excelitas C30645EH 封装外形尺寸图（单位 mm [inch]，含三维视图）](https://www.soar-laser.cn/wp-content/uploads/2026/10/excelitas-c30645eh-package-dimensions.png)
典型应用
- 1550 nm 人眼安全激光测距与激光雷达
- 光纤通信接收端与 OTDR
- 分布式光纤传感（DTS/DAS）
- 自由空间光通信
- 近红外弱光探测与光谱
技术资料下载
- Excelitas C30645EH 官方数据手册（Datasheet，PDF）——含完整光电参数、封装尺寸、典型曲线与引脚定义。
- C30645EH 封装外形与三维尺寸图（PNG）——可直接用于机械结构与装配设计参考。
- C30645EH 产品实物图（高清 JPG）——用于图纸、方案与采购文件配图。
如需 STEP/IGES 三维模型、RoHS 声明或原厂出货检验报告，请联系我方工程师代为向原厂索取。
常见问题 (FAQ)
Q1: 为什么 1550 nm 要选 InGaAs APD 而不是硅？
A: 硅的带隙对应约 1100 nm 的截止波长，1550 nm 光子能量不足以激发电子空穴对，硅探测器在该波段基本无响应。InGaAs 的截止波长约 1700 nm，正好覆盖 1310/1550 nm 通信波段与人眼安全测距波段。
Q2: 9.3 A/W 是含增益的吗？
A: 是。InGaAs APD 的本征响应度约 0.9 A/W @1550 nm，9.3 A/W 对应约 10 倍雪崩增益（M≈10）。增益继续提高会带来额外噪声（过剩噪声因子）与带宽下降，工程上通常在 M=10 附近取最佳信噪比。
Q3: 70 V 偏压需要稳压吗？
A: 需要。APD 增益对偏压极敏感（约 1%/V 量级），偏压纹波会直接变成增益抖动。建议使用低噪声可调高压源，并做温度补偿——InGaAs APD 的击穿电压随温度漂移，宽温环境下必须闭环调节。
Q4: 和 C30645L-080 有什么区别？
A: C30645L-080 是同一 80 µm 芯片的表贴版本（6-CLCC），响应时间 300 ps，面向高速 SMD 贴装；C30645EH 为 TO-18 金属罐通孔封装，便于插座安装与实验室使用。两者光学参数接近，按封装与带宽需求选择。
Q5: 这款产品是原装正品吗，能否提供技术资料？
A: 是。产品为 Excelitas 原厂正品，随货可提供官方数据手册；本页“技术资料下载”区已附上该型号的 Datasheet 与封装尺寸图，可直接下载核对完整参数。
Q6: 如何确认交期和库存？
A: 页面显示的供货状态按当前库存整理：标注现货的型号通常 3–5 个工作日发出；标注需预订的型号，下单前请与我方确认准确交期，我们会在收到原厂确认后回复。
Q7: 能否提供选型建议或替代型号？
A: 可以。请提供工作波长、光斑尺寸、最小可探测功率、信号带宽与封装要求，我方工程师会结合同系列参数（见页面“同系列型号对比”）给出选型或替代方案。
同系列型号对比
下表列出 铟镓砷雪崩光电二极管（InGaAs APD） 同系列型号的关键差异，便于按波长、面元与带宽快速选型（数据来源：Excelitas 官方数据手册）。
| 型号 | 峰值波长 | 有效面积 | 响应度 | 响应时间 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|
| C30645EH | 1550nm | 80µm 直径 | 9.3 A/W @ 1550nm | — | TO-18-2 金属罐 |
| C30645EH-1 | 1550nm | 80µm 直径 | 9.3 A/W @ 1550nm | — | TO-18-2 金属罐 |
| C30645L-080 | 1550nm | 80µm 直径 | 9.4 A/W @ 1550nm | 300ps | 6-CLCC |
| C30662EH | 1550nm | 200µm 直径 | 9.3 A/W @ 1550nm | — | TO-18-2 金属罐 |
| C30662L-200 | 1550nm | 200µm 直径 | 9.4 A/W @ 1550nm | 300ps | 6-CLCC |
表中“—”表示原厂未在标准规格中给出该字段，具体请参见对应型号的数据手册。
订货信息
订货型号：C30645EH（制造商：Excelitas Technologies）。请按完整型号下单，同系列不同后缀在封装、面元或带宽上存在差异，不可直接互换。
批量采购、需要配套偏压电源/跨阻放大器，或需要原厂筛选等级的产品，请联系我方获取报价与技术方案。
免责声明
本页参数、曲线与尺寸数据整理自 Excelitas 官方数据手册与公开规格资料，仅供参考；实际产品参数、外观及包装以原厂出货为准，规格如有变更恕不另行通知。
光电探测器属静电敏感器件，操作时须采取防静电措施；超出规格的偏压、光功率或温度条件可能导致器件永久损坏，相关损失不在质保范围内。
本产品仅用于科研、工业等合法用途，不得用于违反国家法律法规的场合。
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