描述
Excelitas C30659-1060E-R8BH 是面向 1064 nm 的硅雪崩探测器接收模块，TO-8 十二脚封装，有效感光面 0.5 mm²，响应时间 2 ns，典型输出 370 kV/W @900 nm、200 kV/W @1064 nm，光谱范围 400–1100 nm。
产品概述
硅 APD 在 1064 nm 仍有可用响应，配合内置 TIA 后整链输出达到 kV/W 量级，适合 Nd:YAG 测距、1064 nm 激光雷达与脉冲能量监测。0.5 mm² 面元兼顾收光与带宽，2 ns 响应时间对应数百 MHz，可分辨 ns 级回波。
C30659-1060E-R8BH 属于 雪崩探测接收模块（APD + TIA），由 Excelitas Technologies 生产。本页参数取自原厂数据手册与公开规格，选型或替换前建议下载页末的官方 Datasheet 核对完整测试条件。
核心特性
- 雪崩倍增（Avalanche）结构，内部增益把微弱光信号放大后再输出，弱光下信噪比优于同面积 PIN 器件
- 峰值响应波长 1064nm，光谱范围 400nm ~ 1100nm
- 典型响应度 370 KV/W @ 900nm，200 KV/W @ 1064nm
- 有效感光面积 0.5mm²，兼顾收光能力与结电容
- 响应时间 2ns，可分辨纳秒级光脉冲
- TO-8 型，12 引线 封装，通孔安装，便于集成到现有光学与电路结构
- 工作温度范围 -40°C ~ 70°C
- 原厂正品，随货提供官方数据手册；参数以 Excelitas 官方规格书为准
技术规格
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 制造商 (Manufacturer) | Excelitas Technologies |
| 制造商型号 (MPN) | C30659-1060E-R8BH |
| 峰值波长 (Peak Wavelength) | 1064nm |
| 光谱范围 (Spectral Range) | 400nm ~ 1100nm |
| 探测器类型 (Detector Type) | 雪崩 |
| 响应度 (Responsivity) | 370 KV/W @ 900nm，200 KV/W @ 1064nm |
| 有效感光面积 (Active Area) | 0.5mm² |
| 响应时间 (Response Time) | 2ns |
| 工作温度 (Operating Temperature) | -40°C ~ 70°C |
| 封装 / 外壳 (Package) | TO-8 型，12 引线 |
| 安装方式 (Mounting) | 通孔 |
| 产品系列 (Series) | C30659 |
| 基本型号 (Base Part Number) | C30659 |
| 包装形式 (Packaging) | 散装 |
| 产品状态 (Status) | 在售 |
| 供货与交期 (Lead Time) | 现货，3–5 个工作日发出 |
| RoHS 合规 | 符合 ROHS3 规范 |
| 出口管制编码 (ECCN) | EAR99 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| HTSUS 编码 | 8541.49.1050 |
注：以上为原厂典型值，实际性能与偏压、温度、负载条件相关，具体以 Excelitas 官方数据手册为准。
封装尺寸与特性曲线
![Excelitas C30659-1060E-R8BH 封装外形尺寸图（单位 mm [inch]，含三维视图）](https://www.soar-laser.cn/wp-content/uploads/2026/10/excelitas-c30659-1060e-r8bh-package-dimensions.png)
典型应用
- 1064 nm 激光测距与激光雷达（Nd:YAG）
- 1064 nm 脉冲峰值功率监测
- 激光引信与目标探测
- 高速荧光/拉曼探测
技术资料下载
- Excelitas C30659-1060E-R8BH 官方数据手册（Datasheet，PDF）——含完整光电参数、封装尺寸、典型曲线与引脚定义。
- C30659-1060E-R8BH 封装外形与三维尺寸图（PNG）——可直接用于机械结构与装配设计参考。
- C30659-1060E-R8BH 产品实物图（高清 JPG）——用于图纸、方案与采购文件配图。
如需 STEP/IGES 三维模型、RoHS 声明或原厂出货检验报告，请联系我方工程师代为向原厂索取。
常见问题 (FAQ)
Q1: 1064 nm 为什么用硅模块而不是 InGaAs？
A: 1064 nm 在硅的响应范围内（400–1100 nm），硅 APD 的过剩噪声因子低于 InGaAs，同等增益下噪声更小；且硅器件成本更低。InGaAs 的优势在 1310/1550 nm，1064 nm 并非其最佳工作点。
Q2: kV/W 响应度怎么用于系统预算？
A: 用输出幅度除以响应度即得所需光功率：例如需要在 50 Ω 上得到 100 mV，按 200 kV/W 计算需约 0.5 µW 峰值光功率。实际还要扣除带宽带来的噪声与后级增益。
Q3: 模块的输出带宽多少？
A: 响应时间 2 ns 对应约 175 MHz 量级（0.35/tr）。若需更高带宽，可考虑 C30659 系列中响应时间更短的型号或分立 APD + 自建 TIA 方案。
Q4: 这款产品是原装正品吗，能否提供技术资料？
A: 是。产品为 Excelitas 原厂正品，随货可提供官方数据手册；本页“技术资料下载”区已附上该型号的 Datasheet 与封装尺寸图，可直接下载核对完整参数。
Q5: 如何确认交期和库存？
A: 页面显示的供货状态按当前库存整理：标注现货的型号通常 3–5 个工作日发出；标注需预订的型号，下单前请与我方确认准确交期，我们会在收到原厂确认后回复。
Q6: 能否提供选型建议或替代型号？
A: 可以。请提供工作波长、光斑尺寸、最小可探测功率、信号带宽与封装要求，我方工程师会结合同系列参数（见页面“同系列型号对比”）给出选型或替代方案。
同系列型号对比
下表列出 雪崩探测接收模块（APD + TIA） 同系列型号的关键差异，便于按波长、面元与带宽快速选型（数据来源：Excelitas 官方数据手册）。
| 型号 | 峰值波长 | 有效面积 | 响应度 | 响应时间 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|
| C30659-1550E-R08BH | 1550nm | 0.005mm² | 80 KV/W @ 1300nm，900 KV/W @ 1550nm | 2ns | TO-8 型，12 引线 |
| C30659-1550-R2AH | 1550nm | 0.03mm² | 300 KV/W @ 1300nm，340 KV/W @ 1550nm | 7ns | TO-8 型，12 引线 |
| C30659-1060E-R8BH | 1064nm | 0.5mm² | 370 KV/W @ 900nm，200 KV/W @ 1064nm | 2ns | TO-8 型，12 引线 |
| C30659-1060-3AH | 1064nm | 7.1mm² | 450 KV/W @ 900nm，280 KV/W @ 1064nm | 7ns | TO-8 型，12 引线 |
| C30659-900-R8AH | 900nm | 0.5mm² | 2700 KV/W @ 830nm，3000 KV/W @ 900nm | 7ns | TO-8 型，12 引线 |
| C30659-900-R5BH | 900nm | 0.2mm² | 460 KV/W @ 830nm，400 KV/W @ 900nm | 2ns | TO-8 型，12 引线 |
| C30659-1550-R08BH | 1550nm | 0.005mm² | 80 KV/W @ 1300nm，90 KV/W @ 1550nm | 2ns | TO-8 型，12 引线 |
| C30659-1550E-R2AH | 1550nm | 0.03mm² | 300 KV/W @ 1300nm，340 KV/W @ 1550nm | 7ns | TO-8 型，12 引线 |
表中“—”表示原厂未在标准规格中给出该字段，具体请参见对应型号的数据手册。
订货信息
订货型号：C30659-1060E-R8BH（制造商：Excelitas Technologies）。请按完整型号下单，同系列不同后缀在封装、面元或带宽上存在差异，不可直接互换。
批量采购、需要配套偏压电源/跨阻放大器，或需要原厂筛选等级的产品，请联系我方获取报价与技术方案。
免责声明
本页参数、曲线与尺寸数据整理自 Excelitas 官方数据手册与公开规格资料，仅供参考；实际产品参数、外观及包装以原厂出货为准，规格如有变更恕不另行通知。
光电探测器属静电敏感器件，操作时须采取防静电措施；超出规格的偏压、光功率或温度条件可能导致器件永久损坏，相关损失不在质保范围内。
本产品仅用于科研、工业等合法用途，不得用于违反国家法律法规的场合。
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