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Gentec-EO TRAP7-Si-D-BNC是加拿大Gentec-EO公司生产的硅陷阱探测器，超高精度激光功率测量，Si陷阱探测器，D版本改进设计，适合计量校准和精密测量。
核心参数
| 最大连续功率 | 1 mW |
| 噪声等效功率 | 100 pW |
| 光谱范围 | 200-1100 nm |
| 孔径 | Ø7 mm |
| 吸收体 | Si（硅光电二极管） |
| 接口 | BNC模拟输出 |
| 校准不确定度 | < ±1.0% (440-980 nm) |
同系列型号对比
| 型号 | 连续功率 | 冷却 | 吸收体 |
|---|---|---|---|
| TRAP7-Si-C-BNC | 1 mW | — | Si |
| TRAP7-Si-D-BNC | 1 mW | — | Si |
常见问题（FAQ）
Q: BNC输出如何使用？
A: BNC接口输出0-10V模拟信号，接示波器或锁相放大器读取。需配合斩波器使用，建议斩波频率5-25 Hz。
Q: 陷阱探测器与普通光电二极管有何区别？
A: 陷阱结构捕获>99%入射光，校准不确定度<±1%，远优于普通光电二极管，是计量级功率测量首选。
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