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JPT杰普特JPT-200W半导体激光器专为光伏PL检测设计，200W高功率输出，915±10nm中心波长，水冷散热确保长时间运行稳定性。适用于硅原片及后续工艺质量检测，覆盖更广泛工艺段。
| 输出功率 | 200W |
| 中心波长 | 915±10nm |
| 冷却方式 | 水冷 |
| 平均功耗 | 560W |
| 可检硅片 | ≤230mm |
| 尺寸 | 450×235×70mm |
| 重量 | ≈10kg |
| 适用工艺 | 硅原片以后工艺 |
型号对比
| 参数 | JPT-30W | JPT-50W | JPT-200W |
|---|---|---|---|
| 功率 | 30W | 50W | 200W |
| 波长 | 808nm | 808nm | 915nm |
| 冷却 | 风冷 | 风冷 | 水冷 |
| 工艺 | 镀膜后 | 扩散后 | 硅原片后 |
常见问题（FAQ）
Q: JPT-200W适用于哪些工艺段？
A: 专用于硅原片及后续工艺段PL检测，200W高功率覆盖更宽范围缺陷检测。
Q: 水冷系统有什么要求？
A: 需外接循环冷却水源，建议水温15~25℃，流量≥2L/min。
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