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JPT杰普特JPT-50W半导体激光器专为光伏PL检测研发，额定输出功率50W，中心波长808±5nm，风冷散热设计。适用于硅片扩散后工艺质量检测，非接触式发现微米级缺陷与杂质。
| 输出功率 | 50W |
| 中心波长 | 808±5nm |
| 半波全宽 | ≤10nm |
| 工作距离 | 230~260mm |
| 可检硅片 | ≤230mm |
| 平均功耗 | 130W |
| 冷却方式 | 风冷 |
| 尺寸 | 232×140×122mm |
| 重量 | ≈5kg |
| 适用工艺 | 硅片扩散后工艺 |
💡 同系列还有JPT-30W(30W/808nm/风冷)、JPT-200W(200W/915nm/水冷)，分别对应镀膜后、扩散后、硅原片后不同工艺段。
常见问题（FAQ）
Q: JPT-50W适用于哪些场景？
A: 专用于光伏PL检测，适合硅片扩散后工艺质量检测。
Q: JPT-50W与JPT-200W区别？
A: 50W/808nm/风冷 vs 200W/915nm/水冷，对应不同工艺段。
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