| Thorlabs FDG03 |
| 锗光电二极管，上升时间600 ns，800 – 1800 nm，有源区Ø3 mm |
| Thorlabs FDG03是一款锗(Ge)光电二极管，工作波长范围覆盖800 – 1800 nm，有源区面积7.1 mm2 (Ø3 mm)，上升时间600 ns / 600 ns (Typ.)。产品采用高标准封装工艺，适用于科研、工业检测及光通信领域的光信号精确测量。 |
| 核心规格参数 |
| 参数项目 |
规格值 |
| 探测器材料 |
Ge |
| 波长范围 |
800 – 1800 nm |
| 峰值波长 |
1550 nm |
| 有源区面积 |
7.1 mm2 (Ø3 mm) |
| 上升/下降时间 |
600 ns / 600 ns (Typ.) |
| 噪声等效功率(NEP) |
2.6 x 10-12 W/Hz1/2 |
| 结电容 |
6 nF (Typ.) @ 1 V4.5 nF (Typ.) @ 3 V |
| 封装类型 |
TO-5 |
| 最大偏置电压 |
3 V |
| 反向电流 |
10 mA |
| 工作温度 |
-40 to 85 °C |
| 存储温度 |
-40 to 105 °C |
| Responsivity 1550 Nm |
0.85 A/W (Typ.) |
| Dark Current |
4.0 µA (Max) |
| Shunt Resistance |
25000 Ohm (Min) |
|
| 核心特点 |
| • 宽光谱探测：覆盖800 – 1800 nm波长范围，满足多波段光电检测需求。 |
| • 快速响应：上升时间600 ns / 600 ns (Typ.)，适用于高速光信号检测。 |
| • 低噪声性能：NEP达2.6 x 10-12 W/Hz1/2，保障微弱信号高信噪比检测。 |
| • 低暗电流：4.0 µA (Max)，减少背景噪声干扰。 |
| • 低结电容：6 nF (Typ.) @ 1 V4.5 nF (Typ.) @ 3 V，优化高频响应特性。 |
| • 标准TO-5封装，兼容标准光学安装系统，易于集成。 |
| 数据手册 |
| 📄 下载FDG03数据手册PDF |
| 以上参数由Thorlabs官方数据整理，实际规格以产品手册为准。 |
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