Thorlabs FDS010 硅光电二极管 200-1100nm Ø1mm 1ns

Thorlabs FDS010 硅光电二极管 200-1100nm Ø1mm 1ns

¥581.00
Thorlabs FDS010
硅光电二极管,上升时间1 ns,200 – 1100 nm,有源区Ø1 mm
Thorlabs FDS010是一款硅(Si)光电二极管,工作波长范围覆盖200 – 1100 nm,有源区面积0.8 mm2 (Ø1.0 mm),上升时间1 ns / 1 ns,响应度0.44 A/W (Max)。产品采用高标准封装工艺,适用于科研、工业检测及光通信领域的光信号精确测量。
核心规格参数
参数项目 规格值
探测器材料 Si
波长范围 200 – 1100 nm
峰值波长 730 nm
响应度 0.44 A/W (Max)
有源区面积 0.8 mm2 (Ø1.0 mm)
上升/下降时间 1 ns / 1 ns
噪声等效功率(NEP) 5.0 x 10-14 W/Hz1/2
结电容 6 pF (Typ.)
封装类型 TO-5
最大偏置电压 25 V
反向电流 5 mA
工作温度 -25 to 75 °C
存储温度 -40 to 100 °C
Dark Current 10 V 0.3 nA (Typ.)1.0 nA (Max)
核心特点
• 宽光谱探测:覆盖200 – 1100 nm波长范围,满足多波段光电检测需求。
• 高响应度:0.44 A/W (Max),提升光电转换效率。
• 快速响应:上升时间1 ns / 1 ns,适用于高速光信号检测。
• 低噪声性能:NEP达5.0 x 10-14 W/Hz1/2,保障微弱信号高信噪比检测。
• 低暗电流:0.3 nA (Typ.)1.0 nA (Max),减少背景噪声干扰。
• 低结电容:6 pF (Typ.),优化高频响应特性。
• 标准TO-5封装,兼容标准光学安装系统,易于集成。
数据手册
📄 下载FDS010数据手册PDF
以上参数由Thorlabs官方数据整理,实际规格以产品手册为准。

描述

Thorlabs FDS010
硅光电二极管,上升时间1 ns,200 – 1100 nm,有源区Ø1 mm
Thorlabs FDS010是一款硅(Si)光电二极管,工作波长范围覆盖200 – 1100 nm,有源区面积0.8 mm2 (Ø1.0 mm),上升时间1 ns / 1 ns,响应度0.44 A/W (Max)。产品采用高标准封装工艺,适用于科研、工业检测及光通信领域的光信号精确测量。
核心规格参数
参数项目 规格值
探测器材料 Si
波长范围 200 – 1100 nm
峰值波长 730 nm
响应度 0.44 A/W (Max)
有源区面积 0.8 mm2 (Ø1.0 mm)
上升/下降时间 1 ns / 1 ns
噪声等效功率(NEP) 5.0 x 10-14 W/Hz1/2
结电容 6 pF (Typ.)
封装类型 TO-5
最大偏置电压 25 V
反向电流 5 mA
工作温度 -25 to 75 °C
存储温度 -40 to 100 °C
Dark Current 10 V 0.3 nA (Typ.)1.0 nA (Max)
核心特点
• 宽光谱探测:覆盖200 – 1100 nm波长范围,满足多波段光电检测需求。
• 高响应度:0.44 A/W (Max),提升光电转换效率。
• 快速响应:上升时间1 ns / 1 ns,适用于高速光信号检测。
• 低噪声性能:NEP达5.0 x 10-14 W/Hz1/2,保障微弱信号高信噪比检测。
• 低暗电流:0.3 nA (Typ.)1.0 nA (Max),减少背景噪声干扰。
• 低结电容:6 pF (Typ.),优化高频响应特性。
• 标准TO-5封装,兼容标准光学安装系统,易于集成。
数据手册
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以上参数由Thorlabs官方数据整理,实际规格以产品手册为准。

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