Thorlabs FD11A 硅光电二极管,上升时间400ns,有源区1.1mm x 1.1mm

Thorlabs FD11A 硅光电二极管,上升时间400ns,有源区1.1mm x 1.1mm

SKU: FD11A
Category:
Brands:
Thorlabs FD11A
硅光电二极管,上升时间400ns,有源区1.1mm x 1.1mm

Si Photodiode, 1.1mm x 1.1mm Active Area

核心规格参数

参数项目 规格值
material Si
wavelength_range 320 – 1100 nm
peak_wavelength 960 nm
responsivity_960_nm 0.60 A/W
active_area 1.21 mm2 (1.1 mm x 1.1 mm)
rise_time650_nm_rl_=_1_kohm_0_v 400 ns (Typ.)
nep_960_nm_0_v 6.8 x 10-16 W/Hz1/2
dark_current_10_mv 2 pA (Max)
capacitance 140 pF (Typ.)
package TO-18 with Window
max_bias_voltage 30 V
reverse_current
operating_temperature -40 to 100 °C
storage_temperature -55 to 125 °C

📄 数据手册下载:PDF Datasheet

本站产品信息仅供参考,具体以 Thorlabs 官网为准。

描述

Thorlabs FD11A
硅光电二极管,上升时间400ns,有源区1.1mm x 1.1mm

Si Photodiode, 1.1mm x 1.1mm Active Area

核心规格参数

参数项目 规格值
material Si
wavelength_range 320 – 1100 nm
peak_wavelength 960 nm
responsivity_960_nm 0.60 A/W
active_area 1.21 mm2 (1.1 mm x 1.1 mm)
rise_time650_nm_rl_=_1_kohm_0_v 400 ns (Typ.)
nep_960_nm_0_v 6.8 x 10-16 W/Hz1/2
dark_current_10_mv 2 pA (Max)
capacitance 140 pF (Typ.)
package TO-18 with Window
max_bias_voltage 30 V
reverse_current
operating_temperature -40 to 100 °C
storage_temperature -55 to 125 °C

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