描述
ODD-APD-002 是 Opto Diode（ITW 旗下，美国加州 Camarillo 设计制造） 推出的硅（Si）雪崩光电二极管（APD，Avalanche Photodiode），峰值设计波长 905 nm（峰值），光谱响应范围 400–1100 nm，采用气密 TO-46-3 带透镜金属罐封装。APD 通过雪崩倍增效应在器件内部实现光电信号放大：硅 APD 雪崩倍增增益最高可达约 400 倍（规格书考核点为 M=100），可显著提升弱光与纳秒级脉冲条件下的信噪比，是激光雷达、激光测距与光谱分析等应用的理想选择。本产品由高飞激光（长沙）原装供应，含税售价 ¥1,124，随附原厂英文数据手册，并提供选型与技术咨询。
产品参数
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 材料 | 硅（Si） |
| 光谱响应范围 | 400–1100 nm |
| 峰值设计波长 | 905 nm（峰值） |
| 有效光敏面 | Ø0.5 mm / 0.2 mm² |
| 响应度 | 0.55 A/W @ 905 nm（M=1，最小 0.5） |
| 工作电压（增益 M 对应） | 95–209 V（M=100）；34–50 V（M=30） |
| 暗电流 | 0.4 nA（典型，M=100）；最大 1.0 nA |
| 上升时间 | 0.5 ns（典型）；1.5 ns（最大） |
| 结电容 | 1.2 pF（M=100，f=1 MHz） |
| 击穿电压 | 100–220 V（IR=10 µA） |
| 增益温度系数 | 0.9 V/°C |
| 最大反向电压 | 220 V |
| 封装 | TO-46-3 带透镜金属罐（气密） |
| 安装方式 | 通孔 |
| 工作温度 | -45 ~ +85 °C |
| 认证 | RoHS / REACH |
参数来源：Opto Diode 原厂规格书（https://optodiode.com/wp-content/uploads/2025/10/ODD-APD-002.pdf），并与原厂最新版规格书交叉核对（核对日期 2026-11-04）。
产品特点
- 高增益：硅 APD 雪崩倍增增益最高可达约 400 倍（规格书考核点为 M=100），弱光信号探测信噪比显著优于 PIN 光电二极管
- 低噪声：暗电流典型值仅 0.4 nA，配合低结电容实现高灵敏度接收
- 快速响应：上升时间 0.5 ns（典型）；1.5 ns（最大）
- 气密 TO-46 带透镜金属罐封装，长期可靠性经原厂可靠性筛选，完全符合 RoHS
- 原厂垂直整合制造（美国 Camarillo），批次间增益特性稳定
典型应用
激光雷达（LiDAR）与激光测距、飞行时间（TOF）测距、目标指示器与激光点跟踪、自动驾驶障碍物检测与安全传感、光谱分析与科学仪器、工业激光仪器、星载/机载激光雷达、自由空间光通信与光学测速。
Opto Diode APD 系列选型对比
| 型号 | 材料/波段 | 光敏面 | 响应度（M=1） | 上升时间 | 暗电流 | 特点 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ODD-APD-002 | Si，905 nm（400–1100 nm） | 0.2 mm² | 0.55 A/W @ 905 nm | 0.5 ns（典型） | 0.4 nA（典型） | 响应最快、暗电流最低，905 nm 激光雷达首选 |
| ODD-APD-003 | Si，1064 nm（400–1100 nm） | 0.2 mm² | 0.36 A/W @ 1064 nm | 2.0 ns | 5 nA（典型） | 1064 nm 人眼安全波段，机载/星载测距 |
| ODD-APD-001 | InGaAs，1550 nm（900–1700 nm） | 0.031 mm² | 1.0 A/W @ 1550 nm | 0.3 ns（带宽 1.25 GHz） | 8 nA（典型） | 1550 nm 人眼安全、超远距离探测 |
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免责声明
以上参数摘自 Opto Diode 原厂规格书，并与原厂最新版规格书交叉核对（核对日期 2026-11-04），仅供参考，最终以原厂最新版规格书为准。本页标价为高飞激光含税售价，库存与货期以咨询确认为准。页面产品图为原厂系列实物图（TO-46 封装同系列共用），实际外观以发货批次为准。ODD-APD 为 Opto Diode Corp 商标，本文所述品牌与商标归各自所有者所有。
常见问题 (FAQ)
Q1: ODD-APD-002 是什么产品？对应原厂哪个完整料号？
A: ODD-APD-002 是 Opto Diode（ITW 旗下，美国加州 Camarillo 设计制造） 的硅（Si）雪崩光电二极管，400–1100 nm光谱响应，峰值波长 905 nm（峰值），TO-46 气密封装。它在原厂体系中的完整料号为 ODD-APD-020-905-SI-T46（T46 表示 TO-46 封装）。
Q2: ODD-APD-002 和普通 PIN 光电二极管有什么区别？
A: 核心区别是器件内部自带雪崩倍增增益：硅 APD 雪崩倍增增益最高可达约 400 倍（规格书考核点为 M=100）。PIN 管只能靠外部放大器放大信号，带宽越高噪声越大；APD 在光电流产生阶段先行放大，弱光与纳秒级脉冲场景信噪比更好。代价是需要接近击穿电压的反向偏压（本型号对应 M 值工作电压为 95–209 V（M=100）），并建议配合温度补偿稳定增益（温度系数 0.9 V/°C）。
Q3: ODD-APD-002 适合哪些应用？
A: 激光雷达（LiDAR）与激光测距、飞行时间（TOF）测距、目标指示器与激光点跟踪、自动驾驶障碍物检测与安全传感、光谱分析与科学仪器、工业激光仪器、星载/机载激光雷达、自由空间光通信与光学测速。 具体到本型号：905 nm（峰值） 峰值波长使其特别适合对应波长的激光雷达与测距系统。
Q4: ODD-APD-002 的价格和货期？
A: 本页标价 ¥1,124（含税），由高飞激光（长沙）供应。原厂标准交期以询价确认为准，支持批量采购与选型咨询。
Q5: ODD-APD-002 如何选型？与另外两款 Opto Diode APD 怎么选？
A: 先按激光工作波长定材料：905 nm 用 ODD-APD-002（响应最快、暗电流最低），1064 nm 用 ODD-APD-003（Nd:YAG/光纤激光测距），1550 nm 人眼安全波段用 ODD-APD-001（带宽 1.25 GHz）。再按光斑尺寸核对光敏面（硅款 0.2 mm²，InGaAs 款 0.031 mm²），高速应用关注上升时间与结电容。拿不准可将系统参数发给高飞激光，由工程师协助选型。
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