描述
Excelitas C30902EH 是一款 830 nm 峰值响应的低噪声 reach-through 结构硅雪崩光电二极管（Si APD），有效感光面 500 µm（0.2 mm²），典型响应度 77 A/W @830 nm、65 A/W @900 nm，响应时间 500 ps。它把内部增益（M 因子）做在芯片内部，把微弱回波信号放大后再进入前置放大器，因此在同等带宽下可获得明显优于 PIN 光电二极管的信噪比。
产品概述
C30902EH 采用 TO-18-2 金属罐封装，最大反向偏压 225 V，典型暗电流 15 nA，光谱范围覆盖 400–1000 nm，工作温度 −40~70 °C。芯片为顶窗入射、背面阳极结构，结电容小、带宽高，适合需要亚纳秒上升沿的脉冲探测；配合温控或恒温环境使用时增益漂移更小。
C30902EH 属于 硅雪崩光电二极管（Si APD），由 Excelitas Technologies 生产。本页参数取自原厂数据手册与公开规格，选型或替换前建议下载页末的官方 Datasheet 核对完整测试条件。
核心特性
- 雪崩倍增（Avalanche）结构，内部增益把微弱光信号放大后再输出，弱光下信噪比优于同面积 PIN 器件
- 峰值响应波长 830nm，光谱范围 400nm ~ 1000nm
- 典型响应度 77 A/W @ 830nm，65 A/W @ 900nm
- 有效感光面积 0.2mm²，兼顾收光能力与结电容
- 响应时间 500ps，可分辨纳秒级光脉冲
- 典型暗电流 15nA，弱光测量零点漂移小
- 最大反向偏压 225 V，可在高增益区稳定工作
- TO-18-2 金属罐 封装，通孔安装，便于集成到现有光学与电路结构
- 工作温度范围 -40°C ~ 70°C
- 原厂正品，随货提供官方数据手册；参数以 Excelitas 官方规格书为准
技术规格
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 制造商 (Manufacturer) | Excelitas Technologies |
| 制造商型号 (MPN) | C30902EH |
| 峰值波长 (Peak Wavelength) | 830nm |
| 光谱范围 (Spectral Range) | 400nm ~ 1000nm |
| 探测器类型 (Detector Type) | 雪崩 |
| 响应度 (Responsivity) | 77 A/W @ 830nm，65 A/W @ 900nm |
| 有效感光面积 (Active Area) | 0.2mm² |
| 响应时间 (Response Time) | 500ps |
| 最大反向偏压 (Max Reverse Voltage) | 225 V |
| 暗电流 (Dark Current, typ.) | 15nA |
| 工作温度 (Operating Temperature) | -40°C ~ 70°C |
| 封装 / 外壳 (Package) | TO-18-2 金属罐 |
| 安装方式 (Mounting) | 通孔 |
| 产品系列 (Series) | C30902 |
| 基本型号 (Base Part Number) | C30902 |
| 包装形式 (Packaging) | 盒 |
| 产品状态 (Status) | 在售 |
| 供货与交期 (Lead Time) | 现货，3–5 个工作日发出 |
| RoHS 合规 | 符合 ROHS3 规范 |
| 出口管制编码 (ECCN) | EAR99 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| HTSUS 编码 | 8541.49.1050 |
注：以上为原厂典型值，实际性能与偏压、温度、负载条件相关，具体以 Excelitas 官方数据手册为准。
封装尺寸与特性曲线
![Excelitas C30902EH 封装外形尺寸图（单位 mm [inch]，含三维视图）](https://www.soar-laser.cn/wp-content/uploads/2026/10/excelitas-c30902eh-package-dimensions.png)
典型应用
- 激光测距（laser rangefinding）与激光雷达（LiDAR）回波接收
- 共聚焦与荧光显微、低光量成像
- 光子相关与动态光散射（DLS）
- 自由空间光通信与脉冲光探测
- 光谱分析与微弱信号检测
技术资料下载
- Excelitas C30902EH 官方数据手册（Datasheet，PDF）——含完整光电参数、封装尺寸、典型曲线与引脚定义。
- C30902EH 封装外形与三维尺寸图（PNG）——可直接用于机械结构与装配设计参考。
- C30902EH 产品实物图（高清 JPG）——用于图纸、方案与采购文件配图。
如需 STEP/IGES 三维模型、RoHS 声明或原厂出货检验报告，请联系我方工程师代为向原厂索取。
常见问题 (FAQ)
Q1: C30902EH 的增益是多少，需要多高的偏压？
A: C30902EH 内部增益（M 因子）随反向偏压升高而增大，典型工作点下可做到 M≈100，对应 830 nm 响应度约 77 A/W；最大反向偏压为 225 V。实际使用建议在接近击穿电压的 90%–95% 区间调节，并用恒温或温度补偿电路稳定增益。具体增益-偏压曲线见官方数据手册。
Q2: 它和普通 PIN 光电二极管有什么区别？
A: 区别在于内部雪崩倍增。PIN 管的响应度在 830 nm 约 0.5 A/W，输出电流需靠外部跨阻放大器放大，噪声随带宽上升；C30902EH 在管内先做 50–100 倍倍增，等效响应度提升到数十 A/W，在高速、弱光条件下信噪比更好，代价是需要 200 V 级偏压并关注增益温度漂移。
Q3: 500 ps 响应时间能支持多高的带宽？
A: 响应时间 500 ps 对应约 700 MHz 量级的模拟带宽（按 0.35/tr 估算）。实际可用带宽还取决于偏压、负载电阻与后级放大器，建议在 50 Ω 负载下评估。若需要更高带宽，可考虑同系列的 C30645L-080、C30662L-200 等 InGaAs APD 表贴型号。
Q4: 这款产品是原装正品吗，能否提供技术资料？
A: 是。产品为 Excelitas 原厂正品，随货可提供官方数据手册；本页“技术资料下载”区已附上该型号的 Datasheet 与封装尺寸图，可直接下载核对完整参数。
Q5: 如何确认交期和库存？
A: 页面显示的供货状态按当前库存整理：标注现货的型号通常 3–5 个工作日发出；标注需预订的型号，下单前请与我方确认准确交期，我们会在收到原厂确认后回复。
Q6: 能否提供选型建议或替代型号？
A: 可以。请提供工作波长、光斑尺寸、最小可探测功率、信号带宽与封装要求，我方工程师会结合同系列参数（见页面“同系列型号对比”）给出选型或替代方案。
同系列型号对比
下表列出 硅雪崩光电二极管（Si APD） 同系列型号的关键差异，便于按波长、面元与带宽快速选型（数据来源：Excelitas 官方数据手册）。
| 型号 | 峰值波长 | 有效面积 | 响应度 | 响应时间 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|
| C30902EH | 830nm | 0.2mm² | 77 A/W @ 830nm，65 A/W @ 900nm | 500ps | TO-18-2 金属罐 |
| C30902SH-TC | 830nm | 0.2mm² | 128 A/W @ 830nm | 500ps | TO-66 |
| C30902SH-DTC | 830nm | 0.2mm² | 128 A/W @ 830nm | 500ps | TO-66 |
表中“—”表示原厂未在标准规格中给出该字段，具体请参见对应型号的数据手册。
订货信息
订货型号：C30902EH（制造商：Excelitas Technologies）。请按完整型号下单，同系列不同后缀在封装、面元或带宽上存在差异，不可直接互换。
批量采购、需要配套偏压电源/跨阻放大器，或需要原厂筛选等级的产品，请联系我方获取报价与技术方案。
免责声明
本页参数、曲线与尺寸数据整理自 Excelitas 官方数据手册与公开规格资料，仅供参考；实际产品参数、外观及包装以原厂出货为准，规格如有变更恕不另行通知。
光电探测器属静电敏感器件，操作时须采取防静电措施；超出规格的偏压、光功率或温度条件可能导致器件永久损坏，相关损失不在质保范围内。
本产品仅用于科研、工业等合法用途，不得用于违反国家法律法规的场合。
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