描述
Excelitas C30954EH 是针对 1064 nm 做波长增强的硅雪崩光电二极管，有效感光面直径 0.8 mm（0.5 mm²），原厂标称响应度 36 A/W @1050 nm、75 A/W @900 nm、5 A/W @1150 nm，响应时间 3 ns，最大反向偏压 475 V，TO-5（TO-205AA）金属罐封装。
产品概述
常规硅 APD 在 1064 nm 的量子效率会明显下滑，C30954EH 采用双扩散 reach-through 结构加厚吸收层，把 900 nm 以上的长波响应拉回可用水平，是 Nd:YAG（1064 nm）测距、激光雷达与脉冲探测的常用器件。475 V 的偏压说明其雪崩增益建立在高反压区，驱动电源需具备低纹波与过压保护；原厂另有 TEC 制冷版本可选，用于需要稳定增益的场合。
C30954EH 属于 1064nm 增强硅雪崩光电二极管，由 Excelitas Technologies 生产。本页参数取自原厂数据手册与公开规格，选型或替换前建议下载页末的官方 Datasheet 核对完整测试条件。
核心特性
- 雪崩倍增（Avalanche）结构，内部增益把微弱光信号放大后再输出，弱光下信噪比优于同面积 PIN 器件
- 峰值响应波长 1064nm，光谱范围 见数据手册
- 典型响应度 36 A/W @ 1060nm
- 有效感光面积 0.50mm²，兼顾收光能力与结电容
- 响应时间 3ns，可分辨纳秒级光脉冲
- 典型暗电流 50nA，弱光测量零点漂移小
- 最大反向偏压 475 V，可在高增益区稳定工作
- TO-205AA，TO-5-3 金属罐 封装，通孔安装，便于集成到现有光学与电路结构
- 工作温度范围 -40°C ~ 70°C
- 原厂正品，随货提供官方数据手册；参数以 Excelitas 官方规格书为准
技术规格
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 制造商 (Manufacturer) | Excelitas Technologies |
| 制造商型号 (MPN) | C30954EH |
| 峰值波长 (Peak Wavelength) | 1064nm |
| 探测器类型 (Detector Type) | 雪崩 |
| 响应度 (Responsivity) | 36 A/W @ 1060nm |
| 有效感光面积 (Active Area) | 0.50mm² |
| 响应时间 (Response Time) | 3ns |
| 最大反向偏压 (Max Reverse Voltage) | 475 V |
| 暗电流 (Dark Current, typ.) | 50nA |
| 工作温度 (Operating Temperature) | -40°C ~ 70°C |
| 封装 / 外壳 (Package) | TO-205AA，TO-5-3 金属罐 |
| 安装方式 (Mounting) | 通孔 |
| 基本型号 (Base Part Number) | C30954 |
| 包装形式 (Packaging) | 盒 |
| 产品状态 (Status) | 在售 |
| 供货与交期 (Lead Time) | 现货，3–5 个工作日发出 |
| RoHS 合规 | 符合 ROHS3 规范 |
| 出口管制编码 (ECCN) | EAR99 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| HTSUS 编码 | 8541.49.1050 |
注：以上为原厂典型值，实际性能与偏压、温度、负载条件相关，具体以 Excelitas 官方数据手册为准。
典型应用
- 1064 nm 激光测距与激光雷达（Nd:YAG 系统）
- 1064 nm 脉冲能量与峰值功率监测
- 激光引信、激光告警等军用/工业探测前端
- 自由空间光通信接收端
- 科研用 1064 nm 弱光探测
技术资料下载
- Excelitas C30954EH 官方数据手册（Datasheet，PDF）——含完整光电参数、封装尺寸、典型曲线与引脚定义。
- C30954EH 产品实物图（高清 JPG）——用于图纸、方案与采购文件配图。
如需 STEP/IGES 三维模型、RoHS 声明或原厂出货检验报告，请联系我方工程师代为向原厂索取。
常见问题 (FAQ)
Q1: 1064 nm 为什么不用 InGaAs APD，而要选硅增强型？
A: 1064 nm 在硅的响应范围内（400–1100 nm），硅 APD 的过剩噪声因子低于 InGaAs，同等增益下噪声更小，且不需要为 1.5 µm 波段优化的昂贵材料。C30954EH 通过结构增强把 1064 nm 的响应拉到 36 A/W @1050 nm 量级，是 1064 nm 测距与 Nd:YAG 探测的常规选择。
Q2: 475 V 偏压怎么实现？
A: 需要可调高压直流源（典型 300–475 V），纹波建议控制在 mV 级，否则会直接调制增益并抬升噪声底；同时需串联限流电阻并做好过压、反接保护，避免击穿后雪崩电流烧毁芯片。
Q3: 3 ns 响应时间对应什么带宽？
A: 按 0.35/tr 估算约 120 MHz。若应用需要 GHz 级带宽，应改用 InGaAs APD 高速型号（如 C30645L-080、C30662L-200），但那些型号的峰值波长在 1550 nm 附近，1064 nm 响应度会下降，需要按实际波长权衡。
Q4: 这款产品是原装正品吗，能否提供技术资料？
A: 是。产品为 Excelitas 原厂正品，随货可提供官方数据手册；本页“技术资料下载”区已附上该型号的 Datasheet 与封装尺寸图，可直接下载核对完整参数。
Q5: 如何确认交期和库存？
A: 页面显示的供货状态按当前库存整理：标注现货的型号通常 3–5 个工作日发出；标注需预订的型号，下单前请与我方确认准确交期，我们会在收到原厂确认后回复。
Q6: 能否提供选型建议或替代型号？
A: 可以。请提供工作波长、光斑尺寸、最小可探测功率、信号带宽与封装要求，我方工程师会结合同系列参数（见页面“同系列型号对比”）给出选型或替代方案。
订货信息
订货型号：C30954EH（制造商：Excelitas Technologies）。请按完整型号下单，同系列不同后缀在封装、面元或带宽上存在差异，不可直接互换。
批量采购、需要配套偏压电源/跨阻放大器，或需要原厂筛选等级的产品，请联系我方获取报价与技术方案。
免责声明
本页参数、曲线与尺寸数据整理自 Excelitas 官方数据手册与公开规格资料，仅供参考；实际产品参数、外观及包装以原厂出货为准，规格如有变更恕不另行通知。
光电探测器属静电敏感器件，操作时须采取防静电措施；超出规格的偏压、光功率或温度条件可能导致器件永久损坏，相关损失不在质保范围内。
本产品仅用于科研、工业等合法用途，不得用于违反国家法律法规的场合。
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