Thorlabs FDG05 锗光电二极管 800-1800nm Ø5mm 220ns

Thorlabs FDG05 锗光电二极管 800-1800nm Ø5mm 220ns

¥3,080.00
Thorlabs FDG05
锗光电二极管,上升时间220 ns,800 – 1800 nm,有源区Ø5 mm
Thorlabs FDG05是一款锗(Ge)光电二极管,工作波长范围覆盖800 – 1800 nm,有源区面积19.6 mm2 (Ø5 mm),上升时间220 ns / 220 ns,响应度0.95 A/W。产品采用高标准封装工艺,适用于科研、工业检测及光通信领域的光信号精确测量。
核心规格参数
参数项目 规格值
探测器材料 Ge
波长范围 800 – 1800 nm
峰值波长 1550 nm
响应度 0.95 A/W
有源区面积 19.6 mm2 (Ø5 mm)
上升/下降时间 220 ns / 220 ns
噪声等效功率(NEP) 4.0 x 10-12 W/Hz1/2
结电容 3000 pF (Typ.)
封装类型 Ceramic
最大偏置电压 5 V
工作温度 -55 to 60 °C
存储温度 -55 to 60 °C
Dark Current 3 V 40 µA (Max)
核心特点
• 宽光谱探测:覆盖800 – 1800 nm波长范围,满足多波段光电检测需求。
• 高响应度:0.95 A/W,提升光电转换效率。
• 快速响应:上升时间220 ns / 220 ns,适用于高速光信号检测。
• 低噪声性能:NEP达4.0 x 10-12 W/Hz1/2,保障微弱信号高信噪比检测。
• 低暗电流:40 µA (Max),减少背景噪声干扰。
• 低结电容:3000 pF (Typ.),优化高频响应特性。
• 标准Ceramic封装,兼容标准光学安装系统,易于集成。
数据手册
📄 下载FDG05数据手册PDF
以上参数由Thorlabs官方数据整理,实际规格以产品手册为准。

描述

Thorlabs FDG05
锗光电二极管,上升时间220 ns,800 – 1800 nm,有源区Ø5 mm
Thorlabs FDG05是一款锗(Ge)光电二极管,工作波长范围覆盖800 – 1800 nm,有源区面积19.6 mm2 (Ø5 mm),上升时间220 ns / 220 ns,响应度0.95 A/W。产品采用高标准封装工艺,适用于科研、工业检测及光通信领域的光信号精确测量。
核心规格参数
参数项目 规格值
探测器材料 Ge
波长范围 800 – 1800 nm
峰值波长 1550 nm
响应度 0.95 A/W
有源区面积 19.6 mm2 (Ø5 mm)
上升/下降时间 220 ns / 220 ns
噪声等效功率(NEP) 4.0 x 10-12 W/Hz1/2
结电容 3000 pF (Typ.)
封装类型 Ceramic
最大偏置电压 5 V
工作温度 -55 to 60 °C
存储温度 -55 to 60 °C
Dark Current 3 V 40 µA (Max)
核心特点
• 宽光谱探测:覆盖800 – 1800 nm波长范围,满足多波段光电检测需求。
• 高响应度:0.95 A/W,提升光电转换效率。
• 快速响应:上升时间220 ns / 220 ns,适用于高速光信号检测。
• 低噪声性能:NEP达4.0 x 10-12 W/Hz1/2,保障微弱信号高信噪比检测。
• 低暗电流:40 µA (Max),减少背景噪声干扰。
• 低结电容:3000 pF (Typ.),优化高频响应特性。
• 标准Ceramic封装,兼容标准光学安装系统,易于集成。
数据手册
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以上参数由Thorlabs官方数据整理,实际规格以产品手册为准。

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