JPT JPT-30W-FC 30W 808nm光纤耦合半导体激光器

JPT JPT-30W-FC 30W 808nm光纤耦合半导体激光器

JPT JPT-30W-FC 是杰普特光电自主研发的30W 808nm光纤耦合半导体激光器。光纤耦合输出方式,808nm红外波长,适合硅片镀膜后工艺检测。可检硅片尺寸≤230mm,典型工作距离230-260mm,风冷散热,体积紧凑(205×111×123mm,约4kg)。广泛应用于光伏检测、硅片检测等领域。

JPT-30W-FC 技术参数

输出功率 30W
中心波长 808nm
中心波长偏差 ±5nm
典型工作距离 230-260mm
可检硅片尺寸 ≤230mm
配电需求 220V
平均功耗 100W
出光控制方式 GUI/IO接口
冷却方式 风冷
工作温湿度 20-30℃;<80%
尺寸(L×W×H) 205×111×123mm
重量 ≈4kg
适用工艺 硅片镀膜后工艺

常见问题(FAQ)

Q: JPT-30W-FC与普通808nm激光器有什么区别?

A: JPT-30W-FC采用光纤耦合输出,专为硅片镀膜后工艺检测设计,可检硅片尺寸≤230mm,集成GUI/IO控制接口,使用更便捷。

描述

JPT JPT-30W-FC 是杰普特光电自主研发的30W 808nm光纤耦合半导体激光器。光纤耦合输出方式,808nm红外波长,适合硅片镀膜后工艺检测。可检硅片尺寸≤230mm,典型工作距离230-260mm,风冷散热,体积紧凑(205×111×123mm,约4kg)。广泛应用于光伏检测、硅片检测等领域。

JPT-30W-FC 技术参数

输出功率 30W
中心波长 808nm
中心波长偏差 ±5nm
典型工作距离 230-260mm
可检硅片尺寸 ≤230mm
配电需求 220V
平均功耗 100W
出光控制方式 GUI/IO接口
冷却方式 风冷
工作温湿度 20-30℃;<80%
尺寸(L×W×H) 205×111×123mm
重量 ≈4kg
适用工艺 硅片镀膜后工艺

常见问题(FAQ)

Q: JPT-30W-FC与普通808nm激光器有什么区别?

A: JPT-30W-FC采用光纤耦合输出,专为硅片镀膜后工艺检测设计,可检硅片尺寸≤230mm,集成GUI/IO控制接口,使用更便捷。

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