| Thorlabs DSD2 |
| 双波段硅/铟镓砷探测器，上升时间4 µs，400 – 1700 nm，Ø2.54/Ø1.5 mm |
| Thorlabs DSD2是一款Si / InGaAs光电二极管，工作波长范围覆盖400 – 1100 nm / 1000 – 1800 nm，有源区面积2.54 mm / 1.50 mm，上升时间4.0 µs / 4.0 µs，响应度0.55 A/W / 0.60 A/W。产品采用高标准封装工艺，适用于科研、工业检测及光通信领域的光信号精确测量。 |
| 核心规格参数 |
| 参数项目 |
规格值 |
| 探测器材料 |
Si / InGaAs |
| 波长范围 |
400 – 1100 nm / 1000 – 1800 nm |
| 峰值波长 |
950 nm / 1300 nm |
| 响应度 |
0.55 A/W / 0.60 A/W |
| 有源区面积 |
2.54 mm / 1.50 mm |
| 上升时间 |
4.0 µs / 4.0 µs |
| 噪声等效功率(NEP) |
1.9 x 10-14 W/Hz1/2@ 950 nm / 2.1 x 10-13 W/Hz1/2@ 1300 nm |
| 结电容 |
450 pF / 300 pF |
| 封装类型 |
TO-5 |
| 最大偏置电压 |
5 V (Si)2 V (InGaAs) |
| 工作温度 |
-40 to 100 °C |
| 存储温度 |
-55 to 125 °C |
| Dark Current |
1 nA / 0.5 nA |
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| 核心特点 |
| • 宽光谱探测：覆盖400 – 1100 nm / 1000 – 1800 nm波长范围，满足多波段光电检测需求。 |
| • 高响应度：0.55 A/W / 0.60 A/W，提升光电转换效率。 |
| • 快速响应：上升时间4.0 µs / 4.0 µs，适用于高速光信号检测。 |
| • 低噪声性能：NEP达1.9 x 10-14 W/Hz1/2@ 950 nm / 2.1 x 10-13 W/Hz1/2@ 1300 nm，保障微弱信号高信噪比检测。 |
| • 低暗电流：1 nA / 0.5 nA，减少背景噪声干扰。 |
| • 低结电容：450 pF / 300 pF，优化高频响应特性。 |
| • 标准TO-5封装，兼容标准光学安装系统，易于集成。 |
| 数据手册 |
| 📄 下载DSD2数据手册PDF |
| 以上参数由Thorlabs官方数据整理，实际规格以产品手册为准。 |
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