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Thorlabs FD10D 扩展范围铟镓砷光电二极管，上升时间25ns，有源区Ø1.0mm，900-2600nm

Thorlabs FD10D 扩展范围铟镓砷光电二极管，上升时间25ns，有源区Ø1.0mm，900-2600nm

Thorlabs FD10D 扩展范围铟镓砷光电二极管，上升时间25ns，有源区Ø1.0mm，900-2600nm

SKU: FD10D

Category: 光电二极管（Photodiodes）

Brands: Thorlabs

Thorlabs FD10D

扩展范围铟镓砷光电二极管，上升时间25ns，有源区Ø1.0mm，900-2600nm

FD10D 是 Thorlabs 推出的 InGaAs (Extended) 材质光电二极管，工作波长覆盖 900–2600 nm，适用于近红外探测应用。有源区直径 1.0 mm，采用 TO-18 封装。

核心规格参数

参数项目	规格值
material	InGaAs
wavelength_range	900 – 2600 nm
peak_wavelength	2300 nm
responsivity	1.3 A/W (Typ.)
active_area	0.79 mm2 (Ø1.0 mm)
rise_time	25 ns / 25 ns (Typ.)
nep_typical_2300_nm	1.0 x 10-12 W/Hz1/2
dark_current_0.5_v	3 µA (Typ.)
capacitance	500 pF (Typ.)
package	TO-18
max_bias_voltage	1.8 V
operating_temperature	-40 to 85 °C
storage_temperature	-55 to 125 °C

📄 数据手册下载：PDF Datasheet

本站产品信息仅供参考，具体以 Thorlabs 官网为准。

描述
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描述

Thorlabs FD10D

扩展范围铟镓砷光电二极管，上升时间25ns，有源区Ø1.0mm，900-2600nm

FD10D 是 Thorlabs 推出的 InGaAs (Extended) 材质光电二极管，工作波长覆盖 900–2600 nm，适用于近红外探测应用。有源区直径 1.0 mm，采用 TO-18 封装。

核心规格参数

参数项目	规格值
material	InGaAs
wavelength_range	900 – 2600 nm
peak_wavelength	2300 nm
responsivity	1.3 A/W (Typ.)
active_area	0.79 mm2 (Ø1.0 mm)
rise_time	25 ns / 25 ns (Typ.)
nep_typical_2300_nm	1.0 x 10-12 W/Hz1/2
dark_current_0.5_v	3 µA (Typ.)
capacitance	500 pF (Typ.)
package	TO-18
max_bias_voltage	1.8 V
operating_temperature	-40 to 85 °C
storage_temperature	-55 to 125 °C

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