描述
Opto Diode AXUV100G 是一款 100 mm²（10 mm × 10 mm）无窗（windowless）硅光电二极管，属 AXUV 系列中的电子检测（electron detection）版本，出厂带临时保护盖板。器件光谱响应覆盖软 X 射线与极紫外（1–200 nm）并延伸至紫外-可见-近红外（至 1100 nm），对 100 eV–100 keV 能量的电子同样有稳定响应。典型响应度 0.08 A/W（@254 nm，0.07–0.09 A/W），分流电阻 ≥20 MΩ，暗电流约 2 nA，结电容 5–15 nF（VR = 0 V），上升时间 ≤10 µs，适用于同步辐射光束线诊断、EUV 光源监测、电子束流测量与 VUV 光谱。本页含税售价 ¥6,075（含 13% 增值税）。
产品概述
AXUV100G 的核心价值在两点：大面积与无窗直射。有效感光面 10 mm × 10 mm（100 mm²），在同类 EUV / 软 X 射线探测器中属于大规格，接收发散光束或大面积平行光束时不必苛求光斑对准，也可用于光束截面均匀性的粗略评估。器件没有窗片：光子直接进入氧化物钝化（oxide-passivated）的硅结区被吸收，回避了窗片材料在 1–200 nm 波段的强吸收与辐照着色问题——这一波段的光在空气中吸收长度只有微米至毫米量级，任何窗片都会造成严重衰减。
与同面积、同封装的 Opto Diode SXUV100 相比，AXUV100G 的定位是通用型高能光子与电子探测：厂方在规格书首页即标注 “Ideal for Electron Detection”，并给出 100 eV–100 keV 的典型电子响应曲线；分流电阻指标更高（≥20 MΩ，SXUV100 为 ≥10 MΩ），有利于低噪声直流测量。代价是响应速度：100 mm² 的结面积带来 5–15 nF 结电容，上升时间规格为 10 µs（RL = 50 Ω，VR = 0 V），因此它定位在直流光电流、脉冲能量（µs 级以上）与积分式测量，不适合纳秒级脉冲波形恢复。需要更快响应时应选小面积型号，或在同系列中按带宽重新核算。
封装为 16.50 × 15.00 × 2.10 mm 方形结构，有效区 10.03 mm 见方，两根引脚（阴极 / 阳极）间距 12.50 mm、直径 Ø0.45 mm，可通孔焊接或安装在法兰、PCB 与真空腔体馈通上。器件出货时带临时保护盖，用于保护芯片表面与金丝键合，使用前须按原厂应用笔记《Handling Precautions for AXUV, SXUV, and UVG Detectors》拆除。AXUV100G 由 Opto Diode Corp（美国 ITW 集团旗下）生产，高飞激光原装供应；本页参数取自原厂数据手册（Revision 2022-12-17），并与原厂公开资料交叉核对（核对日期 2026-11-04）。
核心特性
- 大面积 100 mm²（10 mm × 10 mm）：收光能力强，对光斑对准与光束发散不敏感，适合发散 EUV 源与大面积束流
- 无窗（windowless）氧化层钝化结构：1–200 nm 波段无窗片吸收与辐照着色，光子直接进入硅结区
- 软 X 射线 / EUV 至近红外宽谱响应：1–200 nm 为主用波段，200–1100 nm 亦有可用响应（见曲线）
- 电子检测优化：100 eV–100 keV 电子典型响应 0.05–0.24 A/W，适合电子束流与能量监测
- 高分流电阻 ≥20 MΩ（VB = ±10 mV）：零偏压光伏模式下噪声低，弱信号零点漂移小
- 低暗电流：约 2 nA（典型），适合 nA 级以上的直流光电流测量；更低光量需调制 + 锁相，或改选小面积低暗电流型号
- 可零偏也可反偏：反向击穿电压 5–10 V，反偏可降低结电容、缩短上升时间，但需权衡暗电流
- 出厂带临时保护盖板：保护感光面与键合丝，运输与装配阶段不易损伤
- 真空兼容：环境 -10 ~ 40 °C；氮气或真空中 -20 ~ 80 °C，可直接装入真空腔体
- RoHS 合规、MSL 1（无限）、ECCN EAR99，便于出口与产线导入
技术规格
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 制造商 (Manufacturer) | Opto Diode Corp（美国 ITW 集团旗下） |
| 制造商型号 (MPN) | AXUV100G |
| 产品类型 (Product Type) | 硅光电二极管（Si Photodiode，无窗 / windowless，电子检测型） |
| 产品系列 (Series) | AXUV |
| 光谱响应范围 (Spectral Range) | 1 nm ~ 1100 nm（主用 1–200 nm；响应度指标测试点 254 nm） |
| 电子检测能量范围 | 100 eV ~ 100 keV（典型响应曲线） |
| 有效感光面积 (Active Area) | 100 mm²（10 mm × 10 mm） |
| 响应度 (Responsivity) | 0.07 / 0.08 / 0.09 A/W（最小 / 典型 / 最大，@254 nm，VR = 0 V） |
| 分流电阻 (Shunt Resistance) | ≥20 MΩ（VB = ±10 mV） |
| 反向击穿电压 (Reverse Breakdown Voltage) | 5 V（min）~ 10 V（max），IR = 1 µA |
| 结电容 (Capacitance) | 5 nF（典型）~ 15 nF（最大），VR = 0 V |
| 上升时间 (Rise Time) | ≤10 µs（VR = 0 V，RL = 50 Ω） |
| 暗电流 (Dark Current) | 约 2 nA（典型） |
| 工作温度 — 环境 (Ambient) | -10 °C ~ 40 °C |
| 工作温度 — 氮气或真空 | -20 °C ~ 80 °C |
| 引脚焊接温度 (Soldering) | 260 °C，距壳体 2.03 mm（0.080 in），≤10 s |
| 封装 (Package) | 方形通孔封装，2 引脚（阳极 / 阴极），随货带临时保护盖 |
| 外形尺寸 (Outline) | 16.50 mm × 15.00 mm × 2.10 mm（.650 × .591 × .083 in） |
| 有效区尺寸 | 10.03 mm × 10.03 mm（.395 × .395 in） |
| 引脚间距 / 引脚直径 | 12.50 mm / Ø0.45 mm（.492 / Ø.018 in） |
| 安装方式 (Mounting) | 通孔（THT） |
| 入射方式 | 无窗直射（windowless，入射面即硅芯片表面） |
| 包装形式 (Packaging) | 散装（Bulk），制造商标准包装 1 件 |
| 产品状态 (Status) | 在售（Active，非停产） |
| 供货与交期 (Lead Time) | 按订单采购，原厂标准交期约 18 周（以我方确认为准） |
| RoHS 合规 | 符合 RoHS（ROHS3） |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| 出口管制编码 (ECCN) | EAR99 |
| HTSUS 编码 | 8541.49.1050 |
注：以上为 Opto Diode 官方数据手册（Revision December 17, 2022）标称值，暗电流典型值取自原厂公开资料（2026-11-04）。响应度、结电容、暗电流随波长、偏压与温度变化，定量测量前请按实际条件标定。
封装尺寸与特性曲线
![Opto Diode AXUV100G 封装外形与安装尺寸图（单位 inch [mm]）](https://www.soar-laser.cn/wp-content/uploads/2026/11/axuv100g-package-dimensions.png)
AXUV100G 与 SXUV100 怎么选
两者有效面积、外形与封装完全一致（SXUV100 产品页）（100 mm²、16.50 × 15.00 × 2.10 mm、2 引脚通孔），差别在钝化工艺与指标取向。下表按原厂两份数据手册对比，便于按实际工况选型。
| 对比项 | AXUV100G（本页） | Opto Diode SXUV100 |
|---|---|---|
| 系列定位 | AXUV 通用型；厂方标注 “Ideal for Electron Detection” | SXUV 抗辐照型；针对高功率密度 EUV/UV 长期暴露 |
| 有效面积 | 100 mm²（10 mm × 10 mm） | 100 mm²（10 mm × 10 mm） |
| 光谱范围 | 1 ~ 1100 nm | 1 ~ 1000 nm |
| 响应度指标 | 0.08 A/W（典型，@254 nm，VR = 0 V） | 约 0.27 A/W @1 nm、约 0.33 A/W @850 nm（典型曲线） |
| 分流电阻 | ≥20 MΩ | ≥10 MΩ |
| 结电容（0 V） | 5 ~ 15 nF | 5 ~ 15 nF |
| 上升时间 | ≤10 µs（RL = 50 Ω，0 V） | 6 µs（RL = 50 Ω，8 V，规格表） |
| 电子检测 | 有专用电子响应曲线（100 eV–100 keV） | 手册未给电子响应 |
| 适用场景 | 电子束流 / 能量监测、EUV 与软 X 射线光子计数与能量测量、VUV 光谱 | EUV 光刻光源、同步辐射光束线等长期高辐照在线监测 |
注：SXUV100 参数取自本站对应产品页与原厂数据手册（Rev. 2019-11-26）。两者不可直接互换用于定量测量——换型后需重新标定响应度。
典型应用
- 电子束检测：SEM / TEM / 电子束曝光设备的束流强度与稳定性监测、电子枪发射电流测量
- 同步辐射（synchrotron）与自由电子激光光束线诊断：光强、光束位置与稳定性监测
- EUV 光源与等离子体诊断：13.5 nm 光刻光源、放电等离子体（DPP/LPP）辐射强度测量
- 软 X 射线光谱与能谱测量：XPS、XAS、EUV 反射率计等仪器的探测器端
- 真空紫外（VUV）光谱仪、单色仪与辐射标定装置
- 空间物理与高能粒子探测：电子/离子束流积分测量
- 高次谐波（HHG）与短波光源的脉冲能量测量（µs 级积分）
技术资料下载
- Opto Diode AXUV100G 官方数据手册（Datasheet，PDF）——含光电特性表、EUV-UV / UV-VIS-NIR / 电子响应曲线、电容与暗电流曲线、封装尺寸与操作注意。
- AXUV100G 封装外形与安装尺寸图（PNG）——可直接用于机械结构、法兰与 PCB 设计。
- AXUV100G 产品实物图（JPG）——用于方案、图纸与采购文件配图。
如需原厂应用笔记《Handling Precautions for AXUV, SXUV, and UVG Detectors》、RoHS 声明或批次检验报告，可联系我方工程师代为索取。
常见问题 (FAQ)
Q1: AXUV100G 是什么产品，和普通硅光电二极管有什么区别？
A: AXUV100G 是 Opto Diode AXUV 系列的 100 mm² 无窗硅光电二极管，专为软 X 射线、极紫外（EUV）与电子检测设计。三个关键区别：①无窗结构——1–200 nm 光子不经过窗片，直接进入硅结区，回避窗片吸收与辐照着色；②大面积 10 mm × 10 mm——收光能力强，适合发散源与大面积束流；③氧化物钝化硅结与高分流电阻（≥20 MΩ）——低噪声、弱信号下零点稳定。普通带窗硅 PIN 在 200 nm 以下基本没有有效响应。
Q2: AXUV100G 与 SXUV100 怎么选？
A: 两者面积、外形、封装完全相同，差别在工艺定位。AXUV100G 是通用型，厂方标注适合电子检测，且有 100 eV–100 keV 电子响应曲线，分流电阻更高（≥20 MΩ）；SXUV100 是抗辐照型，针对高功率密度 EUV/UV 长期暴露做了钝化处理，厂方标称辐照后响应更稳定。测量电子束、做软 X 射线/VUV 光谱与一般 EUV 能量测量选 AXUV100G；长期挂在 EUV 光刻光源或同步辐射光束线上做在线监测，选 SXUV100 更稳妥。
Q3: 能测哪些波长？254 nm 紫外和 13.5 nm EUV 都能用吗？
A: 都能用，但响应度差异很大。软 X 射线至 EUV（0–60 nm）典型响应度约 0.26 A/W，是全谱最高的一段；150 nm 约 0.12 A/W，250 nm 约 0.08 A/W；进入可见-近红外后回升，850 nm 附近约 0.44 A/W，1050 nm 后迅速截止。254 nm 正是原厂响应度指标的测试点（0.08 A/W，0.07–0.09 A/W）。注意 1–200 nm 波段在空气中被强烈吸收，光路必须抽真空或用惰性气体吹扫——这是光路要求，不是器件限制。
Q4: 100 mm² 大面积会不会太慢？
A: 会。结电容在 0 V 时为 5–15 nF，上升时间规格 ≤10 µs（RL = 50 Ω，VR = 0 V），因此它适合直流光电流、µs 级以上脉冲能量与积分式测量，不适合纳秒级波形恢复。若需更高带宽，可加反向偏压（击穿电压 5–10 V，实际工作建议控制在 5 V 以内）降低结电容，或改选小面积型号；但反偏会抬高暗电流，需一并核算信噪比。
Q5: 电子检测怎么接，响应怎么换算？
A: 电子直接轰击裸露的硅表面，在耗尽区内产生电子-空穴对形成电流，无需闪烁体或荧光屏。典型响应：100 eV 约 0.05 A/W、1 keV 约 0.19 A/W、10 keV 以上约 0.24 A/W。工程上更常用电荷换算：硅中产生一个电子-空穴对约需 3.6 eV 能量，因此 10 keV 电子约产生 2800 个载流子。使用时器件应置于真空腔内，注意电子束功率密度不要超过芯片散热能力，必要时加束流限制孔。
Q6: 保护盖要拆吗？清洁和安装要注意什么？
A: 出货带的临时保护盖用于保护芯片与金丝键合，使用前须按原厂应用笔记《Handling Precautions for AXUV, SXUV, and UVG Detectors》拆除。器件为静电敏感件：全程防静电手环与接地台面；不要触碰或擦拭有效区表面，不要用溶剂浸泡，以免破坏钝化层与键合丝；焊接时引脚温度不超过 260 °C、距壳体 2.03 mm 以上、单次不超过 10 s。长期工作在 40 °C 以上会加速表面氧化层生长，使 150 nm 以下响应度不可逆下降。
Q7: 是现货吗，交期多久？价格包含什么？
A: AXUV100G 为按需采购件，原厂标准交期约 18 周，急用请先确认在途库存。页面显示 ¥6,075 为我方人民币含税售价（含 13% 增值税），单只起订；批量采购、配套跨阻放大器、偏压电源或真空法兰安装件可另行报价。
订货信息
订货型号：AXUV100G（制造商：Opto Diode Corp）。同系列按有效面积与用途分为多个型号（如 AXUV20HS1、AXUV63HS1、AXUV100、SXUV100 等），面积、电容与响应度差异明显，选型时请按光斑尺寸、带宽与辐照条件确认，不可直接互换。
需要配套跨阻放大器、偏压电源、真空馈通法兰，或需要原厂筛选 / 标定版本，请联系我方工程师提供方案与报价。
免责声明
本页参数、曲线与尺寸数据整理自 Opto Diode 官方数据手册（Revision December 17, 2022）与公开产品资料（采集日期 2026-11-04），并交叉核对；实际产品参数、外观与包装以原厂出货为准，规格如有变更恕不另行通知。
本产品为静电敏感器件且有效面裸露无窗，操作须采取防静电与洁净措施；超出规格的偏压、光功率密度、电子束功率或温度条件可能导致器件永久损坏，相关损失不在质保范围内。
产品仅用于科研、工业等合法用途，不得用于违反国家法律法规的场合。Opto Diode 为其权利人商标，本页仅用于产品说明。
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