描述
Opto Diode SXUV100 是一款 100 mm²（10 mm × 10 mm）大面积、无窗（windowless）硅光电二极管，光谱响应覆盖 1 nm ~ 1000 nm，专为极紫外（EUV，13.5 nm 光刻波段）与真空紫外（VUV）高功率密度光源的测量与监测设计。器件采用氧化物钝化硅结，在强 EUV/UV 辐照后响应保持稳定，分流电阻 ≥10 MΩ、反向击穿电压 ≥10 V，适合同步辐射光束线诊断、等离子体诊断、EUV 光刻光源监测与真空紫外光谱仪。本页含税售价 ¥6,146（含 13% 增值税）。
产品概述
SXUV100 属于 Opto Diode 的 SXUV 系列——该系列针对 EUV/UV 强辐照环境做了钝化处理，厂方标称在 EUV/UV 暴露后仍保持稳定响应，与通用型 AXUV 系列相比更适合长期处于高能紫外辐照下的在线监测。1 nm 起的极紫外光子能量高、在空气中的吸收长度只有微米量级，任何窗片都会造成严重衰减，因此 SXUV100 采用无窗直射结构：光子直接进入硅结区被吸收，避免窗片材料在 1–200 nm 波段的强吸收与辐照着色。
有效感光面 10 mm × 10 mm（100 mm²），在同类 EUV 探测器中属于大面积规格，适合接收发散光束或大面积平行光束，降低对光斑对准精度的要求，也可用于光束均匀性与能量分布的粗略评估。代价是结电容大（0 V 时 5–15 nF）、响应速度慢（规格表 6 µs，RL = 50 Ω、VR = 8 V），因此它定位在直流光功率、脉冲能量（µs 级以上）与积分式测量，而不是纳秒级脉冲波形恢复——需要高速响应时应选小面积型号。
封装为 16.50 mm × 15.00 mm × 2.10 mm 方形结构，有效区 10.03 mm 见方，两根引脚（阴极 / 阳极）间距 12.50 mm、直径 Ø0.45 mm，可通孔焊接或安装在法兰、PCB 上。器件出货时带临时保护盖以保护芯片与金丝键合，使用前须按原厂应用笔记拆除。SXUV100 由 Opto Diode Corp（美国 ITW 集团旗下）生产，高飞激光原装供应，参数取自原厂数据手册（Rev. 2019-11-26）并与原厂公开资料交叉核对（核对日期 2026-11-04）。
核心特性
- 探测起点 1 nm：覆盖 EUV / VUV（1–200 nm）到可见光、近红外（至 1000 nm），单一器件覆盖宽波段
- 无窗（windowless）直射结构：无窗片吸收与辐照着色问题，1–200 nm 波段能量损失最小
- 氧化物钝化硅结：EUV/UV 强辐照后响应稳定，适合长期在线监测而非一次性测量
- 有效面积 100 mm²（10 mm × 10 mm）：收光能力强，对光斑对准与光束发散不敏感
- 分流电阻 ≥10 MΩ（@ ±10 mV）、反向击穿电压 ≥10 V：可零偏压光伏模式工作，也可加反偏降低结电容
- 暗电流低：约 19 nA @ VR = 10 V、约 32 nA @ VR = 50 V（典型曲线），弱信号零点漂移小
- 峰值响应度约 0.27 A/W @ 1 nm、约 0.33 A/W @ 850 nm（典型曲线）
- 方形通孔封装 16.50 × 15.00 × 2.10 mm，2 引脚，便于集成到真空腔体法兰或探测电路板
- 宽温域：环境 -10 ~ 40 °C；氮气或真空环境 -20 ~ 80 °C，最高结温 70 °C
- RoHS 合规、MSL 1（无限）、ECCN EAR99，便于出口与产线导入
技术规格
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 制造商 (Manufacturer) | Opto Diode Corp（美国 ITW 集团旗下） |
| 制造商型号 (MPN) | SXUV100 |
| 产品类型 (Product Type) | 硅光电二极管（Si Photodiode，无窗 / windowless） |
| 产品系列 (Series) | SXUV（抗 EUV 辐照系列） |
| 光谱响应范围 (Spectral Range) | 1 nm ~ 1000 nm |
| EUV / VUV 工作波段 | 1 nm ~ 200 nm（典型应用 13.5 nm 光刻波段） |
| 有效感光面积 (Active Area) | 100 mm²（10 mm × 10 mm） |
| 峰值响应度 (Peak Responsivity) | 约 0.27 A/W @ 1 nm；约 0.33 A/W @ 850 nm（典型曲线） |
| 响应度参考点 (Responsivity) | 约 0.12 A/W @ 10 nm；约 0.01 A/W @ 100 nm（典型曲线） |
| 分流电阻 (Shunt Resistance) | ≥10 MΩ @ ±10 mV |
| 反向击穿电压 (Reverse Breakdown Voltage) | ≥10 V（IR = 1 µA） |
| 结电容 (Capacitance) | 5 nF ~ 15 nF @ VR = 0 V（规格表）；典型曲线约 3.6 nF @ 0 V、约 1.3 nF @ 10 V |
| 暗电流 (Dark Current) | 约 19 nA @ VR = 10 V；约 32 nA @ VR = 50 V（典型曲线） |
| 响应时间 (Response Time) | 6 µs（RL = 50 Ω，VR = 8 V，规格表）；厂方早期发布资料给 250 ns 典型值 |
| 工作温度 — 环境 (Ambient) | -10 °C ~ 40 °C |
| 工作温度 — 氮气或真空 | -20 °C ~ 80 °C |
| 最高结温 (Max Junction Temp.) | 70 °C |
| 引脚焊接温度 (Soldering) | 260 °C，距壳体 2.03 mm（0.080 in），≤10 s |
| 封装 (Package) | 方形通孔封装，2 引脚（阳极 / 阴极），随货带临时保护盖 |
| 外形尺寸 (Outline) | 16.50 mm × 15.00 mm × 2.10 mm（.650 × .591 × .083 in） |
| 有效区尺寸 | 10.03 mm × 10.03 mm（.395 × .395 in） |
| 引脚间距 / 引脚直径 | 12.50 mm / Ø0.45 mm（.492 / Ø.018 in） |
| 安装方式 (Mounting) | 通孔（THT） |
| 入射方式 | 无窗直射（windowless，入射面即硅芯片表面） |
| 包装形式 (Packaging) | 散装（Bulk），制造商标准包装 1 件 |
| 产品状态 (Status) | 在售（Active，非停产） |
| 供货与交期 (Lead Time) | 按订单采购，原厂标准交期约 18 周（以我方确认为准） |
| RoHS 合规 | 符合 RoHS（ROHS3） |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| 出口管制编码 (ECCN) | EAR99 |
| HTSUS 编码 | 8541.49.1050 |
注：规格值取自 Opto Diode 官方数据手册《Photodiode 100 mm² SXUV100》（Revision November 26, 2019）；结电容、暗电流、响应度的区间值来自手册典型曲线；响应时间手册规格表为 6 µs（RL = 50 Ω、VR = 8 V），而厂方 2014 年产品公告与部分渠道资料给 250 ns，两者测试条件不同，工程评估请以手册曲线与实测为准。
封装尺寸与特性曲线
![Opto Diode SXUV100 封装外形与安装尺寸图（单位 mm [inch]）](https://www.soar-laser.cn/wp-content/uploads/2026/11/opto-diode-sxuv100-package-dimensions.png)
典型应用
- EUV 光刻光源监测：13.5 nm 波段光源能量、功率与脉冲稳定性在线测量
- 同步辐射（synchrotron）光束线诊断与光束位置 / 强度监测
- 等离子体诊断：EUV / VUV 辐射强度与时空分布测量
- 真空紫外（VUV）光谱仪与单色仪的探测器端
- 半导体光刻与检测设备中的紫外能量计、剂量监控
- 高次谐波（HHG）、自由电子激光等短波光源的辐射测量
- 空间紫外遥感、辐射标定与科学研究仪器
- 高功率密度紫外光源（1–150 nm）的功率密度监测
技术资料下载
- Opto Diode SXUV100 官方数据手册（Datasheet，PDF）——含光电特性表、典型响应度 / 电容 / 暗电流曲线、封装尺寸与操作注意事项。
- SXUV100 封装外形与安装尺寸图（PNG）——可直接用于机械结构、法兰与 PCB 设计。
- SXUV100 产品实物图（JPG）——用于方案、图纸与采购文件配图。
如需原厂应用笔记《Handling Precautions for AXUV, SXUV, and UVG Detectors》、RoHS 声明或批次检验报告，可联系我方工程师代为索取。
常见问题 (FAQ)
Q1: SXUV100 和普通硅光电二极管的核心区别是什么？
A: 两个关键点：①无窗结构——1 nm 起的极紫外光子不必穿过窗片，直接被硅吸收，回避了窗片材料在 1–200 nm 的强吸收与辐照着色；②氧化物钝化硅结——针对 EUV/UV 强辐照做了处理，厂方标称在 EUV/UV 暴露后响应保持稳定。普通带窗硅 PIN 在 200 nm 以下基本没有有效响应。
Q2: 有效面积做到 100 mm²，速度会不会太慢？
A: 会。结电容在 0 V 时按手册为 5–15 nF，响应时间规格为 6 µs（RL = 50 Ω、VR = 8 V）。它适合直流光功率、脉冲能量（µs 以上）、积分式与准直流测量；不适合纳秒级脉冲波形恢复。需要高速时应在同系列中选小面积型号，或改用带内建电场的快速探测器。
Q3: 必须在真空或氮气环境里使用吗？
A: 不是必须。环境温度条件下工作范围为 -10 ~ 40 °C；在氮气或真空中可扩展到 -20 ~ 80 °C。但 VUV（尤其 150 nm 以下）测量本身必须在真空或惰性气体吹扫光路中进行，因为空气对该波段强吸收——这是光路要求，不是器件要求。短波段对表面污染极其敏感，操作与存放需保持洁净。
Q4: 随货的保护盖要拆吗？怎么拆？
A: 要拆。器件出货时带临时保护盖，用于保护芯片表面与金丝键合。使用前按原厂应用笔记《Handling Precautions for AXUV, SXUV, and UVG Detectors》拆除，全程防静电、避免触碰有效区表面。清洁时不要用溶剂浸泡或擦拭有效面，以免破坏钝化层与键合丝。
Q5: 响应度曲线在 100 nm 附近为什么明显下凹？
A: 硅在 100 nm 附近的吸收长度极短，光生载流子在表面复合占比大，加之表面氧化层吸收，量子效率出现低谷（典型值约 0.01 A/W），这是硅基 EUV/VUV 探测器的固有特性。SXUV 通过氧化物钝化改善的是该波段响应的稳定性，而非绝对响应度。定量测量前建议按实际波长与入射条件做标定。
Q6: 13.5 nm 光刻光源监测怎么接？
A: 常见做法是在真空腔内以近法向或斜入射接收光束，用跨阻放大器（TIA）读光电流，或用积分电容测脉冲能量；因响应度随波长、入射角与表面状态变化，正式测量前建议用同步辐射或标准探测器标定。偏压建议取 5–10 V 区间：既降低结电容，又避开低偏压区暗电流的陡增段。
Q7: 是现货吗，交期多久？价格包含什么？
A: SXUV100 为按需采购件，原厂标准交期约 18 周，急用请先确认在途库存。页面显示 ¥6,146 为我方人民币含税售价（含 13% 增值税），单只起订；批量采购、配套偏压电源或跨阻放大器可另行报价。
延伸阅读（站内技术资料）
- 光电探测器噪声与信噪比——判断大面积低电容器件在弱光测量中的噪声来源与信噪比估算方法，选配跨阻放大器（TIA）前建议先读。
- 激光功率能量测量全攻略：热式、光电式与积分方式——理解光电式探测器与热式功率计在测量原理、波长响应与损伤阈值上的差别，判断 EUV/VUV 测量该选哪一类。
订货信息
订货型号：SXUV100（制造商：Opto Diode Corp）。同系列另有不同有效面积的型号（如 SXUV5、SXUV20HS1、SXUV63HS1 等），在面积、电容与灵敏度上差异明显，选型时请按光斑尺寸与带宽需求确认，不可直接互换。
需要配套真空法兰安装件、跨阻放大器、偏压电源，或需要原厂筛选 / 标定版本，请联系我方工程师提供方案与报价。
免责声明
本页参数、曲线与尺寸数据整理自 Opto Diode 官方数据手册（Rev. 2019-11-26）与公开规格资料交叉核对；实际产品参数、外观及包装以原厂出货为准，规格如有变更恕不另行通知。
本产品为静电敏感器件，且有效面裸露无窗，操作须采取防静电与洁净措施；超出规格的偏压、光功率密度或温度条件可能导致器件永久损坏，相关损失不在质保范围内。
产品仅用于科研、工业等合法用途，不得用于违反国家法律法规的场合。
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