| Thorlabs FDG50 |
| 锗光电二极管，上升时间220 ns，800 – 1800 nm，有源区Ø5 mm |
| Thorlabs FDG50是一款锗(Ge)光电二极管，工作波长范围覆盖800 – 1800 nm，有源区面积19.6 mm2 (Ø5 mm)，上升时间220 ns / 220 ns (Typ.)，响应度0.85 A/W (Typ.)。产品采用高标准封装工艺，适用于科研、工业检测及光通信领域的光信号精确测量。 |
| 核心规格参数 |
| 参数项目 |
规格值 |
| 探测器材料 |
Ge |
| 波长范围 |
800 – 1800 nm |
| 峰值波长 |
1550 nm (Typ.) |
| 响应度 |
0.85 A/W (Typ.) |
| 有源区面积 |
19.6 mm2 (Ø5 mm) |
| 上升/下降时间 |
220 ns / 220 ns (Typ.) |
| 噪声等效功率(NEP) |
4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) |
| 结电容 |
1800 pF (Max.)16000 pF (Max.) |
| 封装类型 |
TO-8 |
| 最大偏置电压 |
10 V |
| 工作温度 |
-55 to 60 °C |
| 存储温度 |
-55 to 60 °C |
| Dark Current |
60 µA (Max.) |
| Shunt Resistance |
4000 Ohm (Typ.) |
|
| 核心特点 |
| • 宽光谱探测：覆盖800 – 1800 nm波长范围，满足多波段光电检测需求。 |
| • 高响应度：0.85 A/W (Typ.)，提升光电转换效率。 |
| • 快速响应：上升时间220 ns / 220 ns (Typ.)，适用于高速光信号检测。 |
| • 低噪声性能：NEP达4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)，保障微弱信号高信噪比检测。 |
| • 低暗电流：60 µA (Max.)，减少背景噪声干扰。 |
| • 低结电容：1800 pF (Max.)16000 pF (Max.)，优化高频响应特性。 |
| • 标准TO-8封装，兼容标准光学安装系统，易于集成。 |
| 数据手册 |
| 📄 下载FDG50数据手册PDF |
| 以上参数由Thorlabs官方数据整理，实际规格以产品手册为准。 |
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