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Thorlabs FDS10X10 硅光电二极管，上升时间150ns，有源区10mm x 10mm

Thorlabs FDS10X10 硅光电二极管，上升时间150ns，有源区10mm x 10mm

Thorlabs FDS10X10 硅光电二极管，上升时间150ns，有源区10mm x 10mm

SKU: FDS10X10

Category: 光电二极管（Photodiodes）

Brands: Thorlabs

Thorlabs FDS10X10

硅光电二极管，上升时间150ns，有源区10mm x 10mm

Si Photodiode, 10mm x 10mm Active Area

核心规格参数

参数项目	规格值
material	Si
wavelength_range	340 – 1100 nm
peak_wavelength	960 nm
responsivity	0.62 A/W
active_area	100 mm2 (10 mm x 10 mm)
rise_fall_time_rl_=_50_ohms_5_v	150 ns / 150 ns
nep_typical_1550_nm	1.50 x 10-14 W/Hz1/2
dark_current	200 pA
capacitance_5_v	380 pF
package	Ceramic
max_bias_voltage	5 V
operating_temperature	-40 to 75 °C
storage_temperature	-55 to 125 °C

📄 数据手册下载：PDF Datasheet

本站产品信息仅供参考，具体以 Thorlabs 官网为准。

描述
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Thorlabs FDS10X10

硅光电二极管，上升时间150ns，有源区10mm x 10mm

Si Photodiode, 10mm x 10mm Active Area

核心规格参数

参数项目	规格值
material	Si
wavelength_range	340 – 1100 nm
peak_wavelength	960 nm
responsivity	0.62 A/W
active_area	100 mm2 (10 mm x 10 mm)
rise_fall_time_rl_=_50_ohms_5_v	150 ns / 150 ns
nep_typical_1550_nm	1.50 x 10-14 W/Hz1/2
dark_current	200 pA
capacitance_5_v	380 pF
package	Ceramic
max_bias_voltage	5 V
operating_temperature	-40 to 75 °C
storage_temperature	-55 to 125 °C

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